| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 第1章 文献综述 | 第8-20页 |
| 1.1 手性及手性区分概述 | 第8-13页 |
| 1.1.1 手性及手性分子简介 | 第8-9页 |
| 1.1.2 手性拆分和手性区分方法简介 | 第9-12页 |
| 1.1.3 β-环糊精以及其手性区分特性 | 第12-13页 |
| 1.2 基于有机场效应晶体管的传感器 | 第13-18页 |
| 1.2.1 OFET手性传感器的发展现状 | 第15-16页 |
| 1.2.2 OFET的有源层及十六氟酞菁铜 | 第16-17页 |
| 1.2.3 不同种类的的手性OFET传感器(COFET) | 第17-18页 |
| 1.3 本课题研究的目的及内容 | 第18-20页 |
| 第2章 十六氟酞菁铜有机场效应晶体管的制备 | 第20-28页 |
| 2.1 实验试剂及仪器 | 第20-22页 |
| 2.1.1 实验试剂 | 第20-21页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第21-22页 |
| 2.2 实验方法 | 第22-24页 |
| 2.2.1 硅片的处理 | 第22页 |
| 2.2.2 硅片表面的修饰 | 第22页 |
| 2.2.3 十六氟酞菁铜的提纯 | 第22页 |
| 2.2.4 场效应器件的制备 | 第22-23页 |
| 2.2.5 有机场效应晶体管传感器器件表面表征方法 | 第23-24页 |
| 2.2.6 有源层为十六氟酞菁铜的OFET电学性质研究 | 第24页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第24-27页 |
| 2.3.1 对六联苯诱导层对器件性能的影响 | 第24-25页 |
| 2.3.2 OFET电学性质研究 | 第25-27页 |
| 2.4 小结 | 第27-28页 |
| 第3章 手性有机场效应晶体管传感器的构建及性能研究 | 第28-52页 |
| 3.1 实验试剂及仪器 | 第28-29页 |
| 3.1.1 实验试剂 | 第28页 |
| 3.1.2 实验仪器 | 第28-29页 |
| 3.2 实验方法 | 第29-32页 |
| 3.2.1 手性传感单元的构建 | 第29-30页 |
| 3.2.2 手性传感器对手性对映体的非实时测试 | 第30-31页 |
| 3.2.3 COFET对手性对映体的实时传感行为研究 | 第31-32页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第32-51页 |
| 3.3.1 最佳β-CD手性识别层浓度的研究 | 第32-33页 |
| 3.3.2 OFET手性传感器手性层的表征 | 第33-35页 |
| 3.3.3 COFET对手性对映体的手性区分传感行为研究 | 第35-43页 |
| 3.3.4 传感机理分析 | 第43-51页 |
| 3.4 小结 | 第51-52页 |
| 第4章 PVB钝化有源层的有机场效应晶体管传感行为研究 | 第52-62页 |
| 4.1 实验试剂及仪器 | 第52-53页 |
| 4.1.1 实验试剂 | 第52页 |
| 4.1.2 实验仪器 | 第52-53页 |
| 4.2 实验部分 | 第53-55页 |
| 4.2.1 PVB钝化层的固载 | 第53-54页 |
| 4.2.2 PVB滴涂液最佳浓度探究 | 第54页 |
| 4.2.3 PVB钝化器件电学性能测试以及防水性能测试 | 第54页 |
| 4.2.4 PVB钝化器件对手性对映体的非实时手性区分测试 | 第54页 |
| 4.2.5 PVB钝化器件对手性对映体的实时手性区分测试 | 第54-55页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第55-61页 |
| 4.3.1 PVB滴涂液浓度对PVB膜的影响 | 第55页 |
| 4.3.2 PVB钝化器件的钝化层的表面表征 | 第55-57页 |
| 4.3.3 PVB钝化层对器件的影响 | 第57-59页 |
| 4.3.4 PVB钝化COFET的非实时传感器行为研究 | 第59-60页 |
| 4.3.5 PVB钝化COFET的实时传感器行为研究 | 第60-61页 |
| 4.4 小结 | 第61-62页 |
| 第5章 结论、创新点及展望 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-74页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76页 |
