| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 选题依据及研究意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状和发展态势 | 第10-12页 |
| 1.3 本文的主要内容和结构 | 第12-13页 |
| 第二章 辐射理论 | 第13-29页 |
| 2.1 辐射环境简介 | 第13-15页 |
| 2.2 辐射环境中的半导体 | 第15-21页 |
| 2.2.1 辐射对材料的作用 | 第15-17页 |
| 2.2.1.1 位移效应 | 第15-16页 |
| 2.2.1.2 电离效应 | 第16-17页 |
| 2.2.2 辐射对器件的作用 | 第17-21页 |
| 2.2.2.1 单粒子效应(SEE) | 第18-20页 |
| 2.2.2.2 总剂量效应(TID) | 第20-21页 |
| 2.3 量化方法 | 第21-22页 |
| 2.4 辐射参数获取及其在TCAD软件中的导入方法 | 第22-29页 |
| 2.4.1 环境仿真 | 第22-24页 |
| 2.4.2 粒子在材料中的能量沉积仿真 | 第24-26页 |
| 2.4.3 TCAD软件中辐射参数的导入 | 第26-29页 |
| 第三章 MGT器件设计 | 第29-51页 |
| 3.1 MCT设计 | 第30-46页 |
| 3.1.1 阻断特性设计 | 第31-37页 |
| 3.1.2 导通特性设计 | 第37-41页 |
| 3.1.3 动态特性设计 | 第41-45页 |
| 3.1.4 版图与封装测试 | 第45-46页 |
| 3.2 BRT设计 | 第46-50页 |
| 3.3 本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 MGT辐射效应研究 | 第51-66页 |
| 4.1 MCT单粒子效应 | 第51-60页 |
| 4.1.1 1MeV质子入射 | 第52-55页 |
| 4.1.2 5MeV质子入射 | 第55-57页 |
| 4.1.3 抗单粒子效应加固方法 | 第57-60页 |
| 4.2 BRT单粒子效应 | 第60-61页 |
| 4.3 总剂量效应及其加固 | 第61-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 结论与展望 | 第66-68页 |
| 5.1 本文工作总结 | 第66页 |
| 5.2 工作展望 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-72页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第72-73页 |