| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-22页 |
| 1.1 前言 | 第7-8页 |
| 1.2 无铅电子陶瓷介质材料研究现状 | 第8-10页 |
| 1.3 BST基陶瓷材料概述 | 第10-12页 |
| 1.3.1 BST基陶瓷材料的结构 | 第10-11页 |
| 1.3.2 BST基陶瓷材料的性能 | 第11-12页 |
| 1.4 BST基陶瓷材料粉体的制备方法 | 第12-16页 |
| 1.4.1 固相法 | 第13-14页 |
| 1.4.2 液相法 | 第14-16页 |
| 1.5 BST基陶瓷材料系统的改性 | 第16-19页 |
| 1.5.1 Al_2O_3、ZrO_2和MgO掺杂对BST基陶瓷材料的影响 | 第16-17页 |
| 1.5.2 Bi_2O_3掺杂对BST基陶瓷材料的影响 | 第17页 |
| 1.5.3 B_2O_3掺杂对BST基陶瓷材料的影响 | 第17-18页 |
| 1.5.4 稀土元素掺杂对BST基陶瓷材料的影响 | 第18-19页 |
| 1.6 BST基陶瓷材料的应用 | 第19-22页 |
| 1.6.1 移相器 | 第19-20页 |
| 1.6.2 动态随机存储器(DRAM) | 第20页 |
| 1.6.3 热释电红外探测器 | 第20-21页 |
| 1.6.4 H_2探测器 | 第21-22页 |
| 第二章 实验方案设计与研究方法 | 第22-26页 |
| 2.1 实验原料和主要仪器 | 第22-23页 |
| 2.1.1 实验原料 | 第22页 |
| 2.1.2 实验仪器和设备 | 第22-23页 |
| 2.2 试验工艺流程与相关说明 | 第23-24页 |
| 2.3 测试方法 | 第24-26页 |
| 第三章 结果与讨论 | 第26-58页 |
| 3.1 Nd_2O_3掺杂量对BST基陶瓷材料性能的影响 | 第26-37页 |
| 3.1.1 Nd_2O_3的掺杂量对微观结构的影响 | 第26-30页 |
| 3.1.2 Nd_2O_3的掺杂量对介电常数的影响 | 第30-32页 |
| 3.1.3 Nd_2O_3的掺杂量对介电损耗的影响 | 第32-35页 |
| 3.1.4 Nd_2O_3的掺杂量对介电常数温度变化率的影响 | 第35-37页 |
| 3.2 SrCO_3的加入量对BST基陶瓷材料介电性能的影响 | 第37-42页 |
| 3.2.1 SrCO_3的加入量对介电常数的影响 | 第37-38页 |
| 3.2.2 SrCO_3的加入量对介电损耗的影响 | 第38-39页 |
| 3.2.3 SrCO_3的加入量对介电常数温度变化率的影响 | 第39-41页 |
| 3.2.4 SrCO_3的加入量对居里温度的影响 | 第41-42页 |
| 3.3 原料纯度对BST基陶瓷材料性能的影响 | 第42-51页 |
| 3.3.1 TiO_2纯度对BST基陶瓷材料性能的影响 | 第42-47页 |
| 3.3.2 BaCO_3纯度对BST基陶瓷材料性能的影响 | 第47-51页 |
| 3.4 V_2O_5的掺杂量对BST基陶瓷材料介电性能的影响 | 第51-58页 |
| 3.4.1 V_2O_5掺杂量对介电常数的影响 | 第52-53页 |
| 3.4.2 V_2O_5掺杂量对介电损耗的影响 | 第53-54页 |
| 3.4.3 V_2O_5掺杂量对介电常数温度变化率的影响 | 第54-56页 |
| 3.4.4 V_2O_5掺杂量对烧结温度的影响 | 第56-58页 |
| 第四章 结论 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-68页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
