低寄生电容ESD保护器件的研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 研究意义 | 第9-11页 |
| 1.2 国内外研究现状和发展态势 | 第11-12页 |
| 1.3 论文的主要内容 | 第12页 |
| 1.4 论文的结构安排 | 第12-14页 |
| 第二章 ESD基本理论 | 第14-34页 |
| 2.1 静电放电 | 第14页 |
| 2.2 静电放电模型和测试标准 | 第14-20页 |
| 2.2.1 人体模型HBM | 第14-16页 |
| 2.2.2 机器模型MM | 第16-18页 |
| 2.2.3 器件充电模型CDM | 第18-20页 |
| 2.3 ESD测试方法 | 第20-28页 |
| 2.3.1 HBM和MM模型测试 | 第20-23页 |
| 2.3.2 CDM模型测试 | 第23-24页 |
| 2.3.3 传输线脉冲(TLP) 测试 | 第24-27页 |
| 2.3.4 电子枪测试 | 第27-28页 |
| 2.4 常见的ESD失效机制 | 第28-30页 |
| 2.5 ESD设计窗 | 第30-32页 |
| 2.6 ESD保护器件寄生电容的测量方法 | 第32-33页 |
| 2.7 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 ESD保护器件的分析和选取 | 第34-44页 |
| 3.1 二极管 | 第34-39页 |
| 3.1.1 二极管电学特性 | 第34-37页 |
| 3.1.2 二极管的寄生电容 | 第37-38页 |
| 3.1.3 串联二极管 | 第38-39页 |
| 3.2 MOSFET | 第39-40页 |
| 3.2.1 MOS管的结构和电学特性 | 第39-40页 |
| 3.2.2 MOS管的寄生电容 | 第40页 |
| 3.3 晶闸管SCR | 第40-43页 |
| 3.3.1 SCR的结构和电学特性 | 第40-42页 |
| 3.3.2 SCR的寄生电容 | 第42-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 二极管寄生电容的优化 | 第44-55页 |
| 4.1 二极管保护网络 | 第44-45页 |
| 4.2 二极管尺寸的影响 | 第45-47页 |
| 4.3 优化二极管版图 | 第47-53页 |
| 4.3.1 华夫饼形和八边形二极管 | 第47-49页 |
| 4.3.2 带孔华夫饼形和带孔八边形二极管 | 第49-50页 |
| 4.3.3 二极管优化版图的性能分析 | 第50-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 低寄生电容SCR | 第55-70页 |
| 5.1 普通SCR | 第55-58页 |
| 5.1.1 SCR的版图优化 | 第55-56页 |
| 5.1.2 SCR的测试结果 | 第56-58页 |
| 5.2 改进型SCR（MSCR） | 第58-63页 |
| 5.2.1 MSCR的版图优化 | 第58-60页 |
| 5.2.2 MSCR的测试结果 | 第60-63页 |
| 5.3 低触发电压SCR（LVTSCR） | 第63-64页 |
| 5.4 双向SCR（DDSCR） | 第64-68页 |
| 5.4.1 DDSCR和PMDDSCR的版图设计 | 第66-67页 |
| 5.4.2 DDSCR和PMDDSCR的测试结果 | 第67-68页 |
| 5.5 本章小结 | 第68-70页 |
| 第六章 总结与展望 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-76页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第76-77页 |
