| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 石墨烯概述 | 第10-13页 |
| 1.1.1 石墨烯的发现 | 第10页 |
| 1.1.2 石墨烯的性质 | 第10-13页 |
| 1.2 石墨烯的研究现状及发展趋势 | 第13-14页 |
| 1.3 石墨烯场效应晶体管的研究进展 | 第14-15页 |
| 1.4 本文的研究内容与意义 | 第15-16页 |
| 第二章 实验原理及设备 | 第16-33页 |
| 2.1 石墨烯的制备原理、转移工艺及设备 | 第16-24页 |
| 2.1.1 石墨烯的制备原理 | 第16-19页 |
| 2.1.1.1 微机械剥离法 | 第16-17页 |
| 2.1.1.2 热解SiC法 | 第17页 |
| 2.1.1.3 化学剥离还原法 | 第17-18页 |
| 2.1.1.4 刻蚀碳纳米管法 | 第18页 |
| 2.1.1.5 化学气相沉积（CVD）法 | 第18-19页 |
| 2.1.2 CVD石墨烯薄膜的转移方法 | 第19-23页 |
| 2.1.2.1“基体刻蚀”法 | 第20页 |
| 2.1.2.2“roll-to-roll”转移技术 | 第20-21页 |
| 2.1.2.3“电化学转移”技术 | 第21-22页 |
| 2.1.2.4“干法转移”技术 | 第22-23页 |
| 2.1.3 实验设备 | 第23-24页 |
| 2.2 石墨烯的表征方法及设备 | 第24-27页 |
| 2.2.1 石墨烯的表征方法 | 第24-26页 |
| 2.2.1.1 光学显微镜 | 第24-25页 |
| 2.2.1.2 扫描电子显微镜 | 第25页 |
| 2.2.1.3 原子力显微镜 | 第25页 |
| 2.2.1.4 Raman光谱 | 第25-26页 |
| 2.2.2 石墨烯表征的设备 | 第26-27页 |
| 2.3 CVD石墨烯场效应管的工作原理、制备工艺及设备 | 第27-31页 |
| 2.3.1 CVD石墨烯场效应管的工作原理 | 第27-29页 |
| 2.3.2 石墨烯场效应晶体管的制备工艺 | 第29页 |
| 2.3.3 实验设备 | 第29-31页 |
| 2.4 石墨烯场效应晶体管的测试方法及设备 | 第31-33页 |
| 第三章 CVD石墨烯转移工艺对晶体管性能的影响研究 | 第33-47页 |
| 3.1 传统PMMA湿法转移的石墨烯的效果及器件性能 | 第33-35页 |
| 3.2 石墨烯转移工艺的优化研究 | 第35-46页 |
| 3.2.1 石墨烯表面杂质的去除 | 第35-39页 |
| 3.2.2 石墨烯表面H+的中和 | 第39-41页 |
| 3.2.3 石墨烯表面褶皱的去除研究 | 第41-46页 |
| 3.2.3.1 异丙醇置换石墨烯/SiO2界面的H2O分子 | 第42-43页 |
| 3.2.3.2 甲酰胺置换石墨烯/SiO2界面的水分子 | 第43-46页 |
| 3.3 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 微细加工对CVD石墨烯场效应晶体管性能的影响研究 | 第47-55页 |
| 4.1 CVD石墨烯场效应晶体管的制备 | 第47页 |
| 4.2 光刻工艺研究 | 第47-50页 |
| 4.3 干刻工艺研究 | 第50-53页 |
| 4.4 微细加工工艺流程的优化 | 第53-54页 |
| 4.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 金属电极材料对石墨烯场效应晶体管性能的影响研究 | 第55-61页 |
| 5.1 传输长度法测量接触电阻的原理及方法 | 第55-58页 |
| 5.2 金属电极材料对器件接触电阻的影响研究 | 第58-59页 |
| 5.3 金属电极材料与器件迁移率的影响研究 | 第59-60页 |
| 5.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第六章 结论与展望 | 第61-63页 |
| 6.1 结论 | 第61-62页 |
| 6.2 展望 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第68-69页 |
