摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
1 绪论 | 第11-31页 |
1.1 课题研究目的与意义 | 第11-13页 |
1.2 LED原理 | 第13-14页 |
1.3 LED发展历程 | 第14-17页 |
1.4 国内外研究现状 | 第17-29页 |
1.4.1 GaN-LED衬底技术 | 第17-19页 |
1.4.2 GaN-LED外延结构 | 第19-20页 |
1.4.3 GaN-LED芯片类型 | 第20-23页 |
1.4.4 GaN-LED电学性质 | 第23-25页 |
1.4.5 GaN-LED光学性质 | 第25-29页 |
1.5 本文的研究内容及章节安排 | 第29-31页 |
2 GaN-LED外延结构分析 | 第31-57页 |
2.1 GaN-LED效率的定义 | 第31-36页 |
2.1.1 GaN-LED外延结构 | 第31-33页 |
2.1.2 GaN-LED效率定义 | 第33-36页 |
2.2 GaN-LED电热耦合模型 | 第36-43页 |
2.2.1 基于载流子扩散-漂移理论的外延模型 | 第36-38页 |
2.2.2 材料特性参数 | 第38-40页 |
2.2.3 LED电流扩展模型 | 第40-41页 |
2.2.4 LED温度模型 | 第41-42页 |
2.2.5 LED几何模型 | 第42-43页 |
2.3 GaN-LED内量子效率影响因素分析 | 第43-55页 |
2.3.1 俄歇复合对GaN-LED内量子效率的影响 | 第43-45页 |
2.3.2 极化效应对GaN-LED内量子效率的影响 | 第45-50页 |
2.3.3 温度对GaN-LED内量子效率的影响 | 第50-52页 |
2.3.4 载流子泄露对GaN-LED内量子效率的影响 | 第52-55页 |
2.4 本章小结 | 第55-57页 |
3 GaN-LED芯片电学性能分析 | 第57-77页 |
3.1 电流扩展对GaN-LED性能的影响 | 第57-60页 |
3.2 GaN-LED电学性能表征 | 第60-63页 |
3.2.1 理想因子 | 第60-62页 |
3.2.2 LED电流扩展长度 | 第62-63页 |
3.3 GaN-LED电流扩展影响因素分析 | 第63-76页 |
3.3.1 ITO对电流扩展的影响 | 第64-70页 |
3.3.2 注入电流对电流扩展的影响 | 第70-71页 |
3.3.3 量子阱对电流扩展的影响 | 第71-72页 |
3.3.4 温度对电流扩展的影响 | 第72-73页 |
3.3.5 电极结构对电流扩展的影响 | 第73-76页 |
3.4 本章小结 | 第76-77页 |
4 GaN-LED芯片光学性能分析 | 第77-100页 |
4.1 GaN-LED芯片中光子的传输与损耗 | 第77-80页 |
4.2 基于蒙特卡洛光线追迹模型优化GaN-LED微结构 | 第80-89页 |
4.2.1 蒙特卡洛光线追迹方法 | 第80-81页 |
4.2.2 GaN-LED芯片模型结构与参数 | 第81-85页 |
4.2.3 GaN-LED芯片取光效率模拟优化 | 第85-89页 |
4.3 反射镜设计 | 第89-98页 |
4.3.1 光学薄膜设计理论 | 第89-92页 |
4.3.2 反射谱设计要求 | 第92-94页 |
4.3.3 反射谱模拟优化 | 第94-98页 |
4.4 本章小结 | 第98-100页 |
5 大功率GaN-LED芯片的制作 | 第100-127页 |
5.1 GaN-LED制作流程 | 第100-107页 |
5.1.1 GaN-LED外延生长流程 | 第100-102页 |
5.1.2 GaN-LED芯片制作工艺流程 | 第102-106页 |
5.1.3 GaN-LED芯片测试与表征方法 | 第106-107页 |
5.2 GaN-LED芯片分析 | 第107-126页 |
5.2.1 渐变量子阱厚度GaN-LED分析 | 第107-109页 |
5.2.2 ITO图形结构对GaN-LED电光性能的影响 | 第109-114页 |
5.2.3 取光效率随电流增加而下降的分析 | 第114-119页 |
5.2.4 DBR/ODR对GaN-LED电光性能的影响 | 第119-123页 |
5.2.5 GaN-LED芯片制作工艺的优化 | 第123-126页 |
5.3 本章小结 | 第126-127页 |
6 全文总结与工作展望 | 第127-130页 |
致谢 | 第130-132页 |
参考文献 | 第132-143页 |
附录1 攻读博士学位期间发表的主要论文 | 第143-144页 |