| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第14-28页 |
| 1.1 分子电子学的研究背景 | 第14-15页 |
| 1.2 分子器件的研究进展 | 第15-22页 |
| 1.2.1 分子器件的特性 | 第16-19页 |
| 1.2.2 分子器件的实验研究 | 第19-21页 |
| 1.2.3 分子器件的理论研究 | 第21-22页 |
| 1.3 分子电子学的研究进展及挑战 | 第22-23页 |
| 1.4 分子器件的研究对象 | 第23-26页 |
| 1.5 本论文的主要方法和内容 | 第26-28页 |
| 第2章 分子器件电子输运的理论基础与计算方法 | 第28-50页 |
| 2.1 第一性原理计算简介 | 第28-36页 |
| 2.1.1 玻恩-奥本海默(Born-Oppenheimer)绝热近似 | 第28-29页 |
| 2.1.2 Hartree-Fock方法 | 第29-31页 |
| 2.1.3 密度泛函数理论 | 第31-36页 |
| 2.2 格林函数方法 | 第36-40页 |
| 2.2.1 平衡格林函数方法 | 第36-38页 |
| 2.2.2 非平衡格林函数方法 | 第38-40页 |
| 2.3 分子器件输运性质计算方法与流程 | 第40-47页 |
| 2.3.1 Landauer-Buttiker公式 | 第40页 |
| 2.3.2 电流计算公式 | 第40-43页 |
| 2.3.3 分子器件的电流计算方案 | 第43-47页 |
| 2.4 第一性原理相关软件以及计算步骤介绍 | 第47-50页 |
| 第3章 双氮掺杂对扶手型石墨烯纳米条带的电子输运性质的影响 | 第50-58页 |
| 3.1 引言 | 第50-51页 |
| 3.2 计算模型与研究方法 | 第51-52页 |
| 3.3 结果分析与讨论 | 第52-57页 |
| 3.3.1 N_2~(AA)-doped aGNR的电子结构性质 | 第52-54页 |
| 3.3.2 N_2~(AA)-doped aGNR器件的电学输运性质 | 第54-57页 |
| 3.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 第4章 不对称电极中双氮掺杂扶手型石墨烯纳米条带的整流效应研究 | 第58-65页 |
| 4.1 引言 | 第58-59页 |
| 4.2 计算模型与研究方法 | 第59-60页 |
| 4.3 结果分析与讨论 | 第60-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 第5章 边界钝化锯齿形石墨烯纳米条带器件的半导体性质研究 | 第65-73页 |
| 5.1 引言 | 第65-66页 |
| 5.2 计算模型与研究方法 | 第66-67页 |
| 5.3 结果分析与讨论 | 第67-72页 |
| 5.3.1 H2-zGNR的长度对N-zGNRs+N_(H2)H2结构输运性质的影响 | 第67-71页 |
| 5.3.2 zGNRs的宽度对N-H2-zGNRs+N_HH结构输运性质的影响 | 第71-72页 |
| 5.4 本章小结 | 第72-73页 |
| 第6章 单碳链不对称连接锯齿形石墨烯纳米带的自旋过滤行为 | 第73-82页 |
| 6.1 计算模型与研究方法 | 第74-75页 |
| 6.2 结果分析与讨论 | 第75-81页 |
| 6.3 本章小结 | 第81-82页 |
| 第7章 基于铬卟啉分子自旋电子器件中的自旋过滤和整流行为 | 第82-92页 |
| 7.1 引言 | 第82-83页 |
| 7.2 计算模型与研究方法 | 第83-84页 |
| 7.3 结果分析与讨论 | 第84-91页 |
| 7.4 本章小结 | 第91-92页 |
| 结论与展望 | 第92-94页 |
| 参考文献 | 第94-112页 |
| 附录A 攻读学位期间发表的论文 | 第112-113页 |
| 附录B 攻读学位期间参加的科研项目 | 第113-114页 |
| 致谢 | 第114页 |
