| 中文摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 引言 | 第9-21页 |
| 1.1 太阳能电池概述 | 第9-14页 |
| 1.1.1 太阳能电池的发展 | 第9页 |
| 1.1.2 太阳能的工作原理 | 第9-10页 |
| 1.1.3 太阳能电池的性能指标 | 第10-13页 |
| 1.1.4 太阳能电池的分类 | 第13-14页 |
| 1.2 CZTS薄膜太阳能电池简介 | 第14-16页 |
| 1.2.1 CZTS薄膜太阳能电池性质与结构 | 第14-16页 |
| 1.2.2 CZTS薄膜太阳能电池研究进展 | 第16页 |
| 1.3 薄膜太阳能电池的缓冲层简介 | 第16-19页 |
| 1.3.1 In_2S_3薄膜材料的结构与性质 | 第17-18页 |
| 1.3.2 In_2S_3薄膜缓冲层材料的制备方法 | 第18-19页 |
| 1.4 本文的选题依据和研究内容 | 第19-20页 |
| 1.4.1 选题依据 | 第19页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第19-20页 |
| 1.5 本章小结 | 第20-21页 |
| 第二章 实验与测试分析的方法 | 第21-31页 |
| 2.1 薄膜的制备方法 | 第21-23页 |
| 2.1.1 真空热蒸发法 | 第21-22页 |
| 2.1.2 溶胶—凝胶法 | 第22页 |
| 2.1.3 磁控溅射法 | 第22-23页 |
| 2.2 薄膜的后续处理方法 | 第23-24页 |
| 2.2.1 退火 | 第23-24页 |
| 2.2.2 硫化 | 第24页 |
| 2.3 薄膜物性的分析方法 | 第24-30页 |
| 2.3.1 X射线衍射光谱(XRD) | 第24-25页 |
| 2.3.2 X射线光电子能谱(XPS) | 第25-26页 |
| 2.3.3 拉曼散射光谱(Raman) | 第26页 |
| 2.3.4 紫外-可见-近红外光谱(UV-VIS-NIR) | 第26-28页 |
| 2.3.5 霍尔效应分析(Hall effect) | 第28-30页 |
| 2.3.6 椭圆偏振光谱(SE) | 第30页 |
| 2.3.7 扫描电子显微镜(SEM) | 第30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 本征In_2S_3薄膜的研究 | 第31-36页 |
| 3.1 本征In_2S_3薄膜的制备 | 第31页 |
| 3.2 不同的退火温度对In_2S_3薄膜的影响 | 第31-35页 |
| 3.2.1 光学特性 | 第31-34页 |
| 3.2.2 电学特性 | 第34页 |
| 3.2.3 物相分析 | 第34-35页 |
| 3.3 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 Cu掺杂In_2S_3薄膜的研究 | 第36-47页 |
| 4.1 Cu掺杂In_2S_3薄膜的制备 | 第36-37页 |
| 4.2 Cu掺杂In_2S_3薄膜的物性分析 | 第37-46页 |
| 4.2.1 电学特性 | 第37-39页 |
| 4.2.2 物相结构 | 第39-42页 |
| 4.2.3 表面形貌 | 第42页 |
| 4.2.4 光学特性 | 第42-46页 |
| 4.3 本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 缓冲层生长温度对CZTS/In_2S_3异质结带阶的影响 | 第47-58页 |
| 5.1 半导体能带简介 | 第47-48页 |
| 5.2 异质结带阶的测试方法 | 第48-49页 |
| 5.3 CZTS/In_2S_3异质结带阶的测试 | 第49-54页 |
| 5.3.1 CZTS/In_2S_3异质结的制备 | 第49-50页 |
| 5.3.2 不同生长温度下的带阶的测试 | 第50-54页 |
| 5.4 缓冲层生长温度的不同对电池性能的影响 | 第54-56页 |
| 5.5 本章小结 | 第56-58页 |
| 第六章 总结与展望 | 第58-60页 |
| 6.1 内容总结 | 第58-59页 |
| 6.2 展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 个人简历、在读期间的研究成果及发表的学术论文 | 第65页 |
