| 中文摘要 | 第4-6页 |
| 英文摘要 | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第11-29页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 RRAM的研究进展 | 第11-20页 |
| 1.2.1 RRAM的基础 | 第11-14页 |
| 1.2.2 电阻转变机理 | 第14-19页 |
| 1.2.3 二元金属氧化物基RRAM器件的研究进展 | 第19-20页 |
| 1.3 d0铁磁性 | 第20-24页 |
| 1.4 RRAM器件中电场调控磁性研究进展 | 第24-27页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 | 第27-29页 |
| 1.5.1 存在的问题 | 第27-28页 |
| 1.5.2 主要研究内容 | 第28-29页 |
| 2 实验方法 | 第29-36页 |
| 2.1 样品的制备 | 第29-31页 |
| 2.1.1 介质层的制备 | 第29-30页 |
| 2.1.2 顶电极的制备 | 第30-31页 |
| 2.2 结构、形貌及化学元素分析 | 第31-33页 |
| 2.2.1 结构表征 | 第31页 |
| 2.2.2 成分分析 | 第31页 |
| 2.2.3 形貌分析 | 第31-32页 |
| 2.2.4 PL谱分析 | 第32-33页 |
| 2.3 电性和磁性测量 | 第33-36页 |
| 2.3.1 阻变特性测量 | 第33-34页 |
| 2.3.2 R-T测量 | 第34页 |
| 2.3.3 磁性测量 | 第34-36页 |
| 3 非晶MgO薄膜的阻变特性及机理研究 | 第36-45页 |
| 3.1 引言 | 第36-37页 |
| 3.2 制备与表征 | 第37-38页 |
| 3.3 结果讨论 | 第38-44页 |
| 3.3.1 结构、成分及形貌分析 | 第38页 |
| 3.3.2 阻变特性 | 第38-41页 |
| 3.3.3 阻变机理与探究 | 第41-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 4 电场调控非晶MgO薄膜磁性研究 | 第45-54页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 制备与表征 | 第45页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第45-53页 |
| 4.3.1 结构、成分及形貌分析 | 第45-46页 |
| 4.3.2 电学性能 | 第46-48页 |
| 4.3.3 电场调控磁性研究 | 第48-49页 |
| 4.3.4 机理分析 | 第49-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 5 电场调控HfO2薄膜磁性研究 | 第54-63页 |
| 5.1 引言 | 第54页 |
| 5.2 制备 | 第54-55页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第55-62页 |
| 5.3.1 结构、成分及形貌分析 | 第55-56页 |
| 5.3.2 电学性能 | 第56-59页 |
| 5.3.3 电场调控磁性研究 | 第59-61页 |
| 5.3.4 机理探究 | 第61-62页 |
| 5.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 6 结论 | 第63-66页 |
| 6.1 结论 | 第63-64页 |
| 6.2 创新点 | 第64页 |
| 6.3 展望 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 攻读学位期间取得的科研成果清单 | 第80页 |