基于CMOS工艺的信号发生源研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 论文研究背景与意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状及发展趋势 | 第10-13页 |
| 1.2.1 国内外研究状况 | 第10-12页 |
| 1.2.2 CMOS工艺下的传输线 | 第12-13页 |
| 1.2.3 CMOS工艺下的太赫兹源 | 第13页 |
| 1.3 论文结构安排 | 第13-15页 |
| 第2章 CMOS高频传输线的设计 | 第15-21页 |
| 2.1 微带线的特性阻抗 | 第15-17页 |
| 2.2 微带线的损耗 | 第17-18页 |
| 2.3 CMOS高频传输线设计 | 第18-21页 |
| 第3章 环形振荡器分析与设计 | 第21-49页 |
| 3.1 压控振荡器概述 | 第21-30页 |
| 3.1.1 振荡器基本工作原理 | 第21-24页 |
| 3.1.2 环形压控振荡器 | 第24-29页 |
| 3.1.3 压控振荡器的性能指标 | 第29-30页 |
| 3.2 相位噪声 | 第30-35页 |
| 3.2.1 振荡器噪声分类 | 第30页 |
| 3.2.2 相位噪声定义 | 第30-32页 |
| 3.2.3 相位噪声分析模型 | 第32-35页 |
| 3.3 环形压控振荡器设计 | 第35-49页 |
| 3.3.1 高品质因数电感设计 | 第35-42页 |
| 3.3.2 环形压控振荡器结构设计 | 第42-45页 |
| 3.3.3 各项技术指标及分析 | 第45-49页 |
| 第4章 倍频器分析与设计 | 第49-68页 |
| 4.1 倍频器概述 | 第49-52页 |
| 4.1.1 基本工作原理 | 第49-50页 |
| 4.1.2 倍频器的分类 | 第50-51页 |
| 4.1.3 倍频器的性能指标 | 第51-52页 |
| 4.2 二极管实现的无源倍频器 | 第52-57页 |
| 4.2.1 肖特基二极管的基本工作原理 | 第52-54页 |
| 4.2.2 肖特基势垒二极管倍频器 | 第54-57页 |
| 4.3 110GHZ倍频器设计 | 第57-68页 |
| 4.3.1 110GHz倍频器设计 | 第57-59页 |
| 4.3.2 CMOS高频传输线设计 | 第59-63页 |
| 4.3.3 各项技术指标 | 第63-65页 |
| 4.3.4 实物及部分测试结果 | 第65-68页 |
| 第5章 总结与展望 | 第68-70页 |
| 5.1 论文的工作总结 | 第68页 |
| 5.2 展望 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
