GeSn PIN光电探测器研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第13-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-21页 |
| 1.1 引言 | 第17-18页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第18-19页 |
| 1.3 论文主要工作和章节安排 | 第19-21页 |
| 第二章 GeSn能带结构与光电特性 | 第21-37页 |
| 2.1 能带结构计算 | 第21-28页 |
| 2.1.1 CASTEP模块 | 第21-22页 |
| 2.1.2 密度泛函理论 | 第22-23页 |
| 2.1.3 GeSn能带结构计算与分析 | 第23-27页 |
| 2.1.4 GeSn能带结构修正 | 第27-28页 |
| 2.2 吸收系数模型 | 第28-34页 |
| 2.3 温度对吸收系数的影响 | 第34-35页 |
| 2.4 本章小结 | 第35-37页 |
| 第三章 GeSn光电探测器性能研究 | 第37-55页 |
| 3.1 光电探测器工作机制 | 第37-42页 |
| 3.1.1 电子跃迁 | 第37-40页 |
| 3.1.2 光吸收 | 第40-41页 |
| 3.1.3 不同结构光电探测器比较 | 第41-42页 |
| 3.2 光电探测器关键参数 | 第42-45页 |
| 3.2.1 量子效率与响应度 | 第42-44页 |
| 3.2.2 暗电流 | 第44页 |
| 3.2.3 3-dB带宽 | 第44-45页 |
| 3.3 不同参数对量子效率的影响 | 第45-47页 |
| 3.3.1 吸收系数对量子效率的影响 | 第45-46页 |
| 3.3.2 器件长度对暗电流的影响 | 第46-47页 |
| 3.4 不同参数对暗电流的影响 | 第47-50页 |
| 3.4.1 带隙值对暗电流的影响 | 第48-49页 |
| 3.4.2 掺杂浓度对暗电流的影响 | 第49-50页 |
| 3.4.3 温度对暗电流的影响 | 第50页 |
| 3.5 不同入射光功率对光电流信号的影响 | 第50-51页 |
| 3.6 器件结构设计 | 第51-53页 |
| 3.7 本章小结 | 第53-55页 |
| 第四章 仿真与结果分析 | 第55-73页 |
| 4.1 器件仿真环境设置 | 第55-58页 |
| 4.2 材料参数设置 | 第58-60页 |
| 4.3 GeSn光电探测器仿真 | 第60-70页 |
| 4.3.1 器件结构设置 | 第60-61页 |
| 4.3.2 PIN结能带结构分析 | 第61-64页 |
| 4.3.3 GeSn光电探测器关键参数 | 第64-67页 |
| 4.3.4 不同Sn组分的光电探测器 | 第67-69页 |
| 4.3.5 光信号分析 | 第69-70页 |
| 4.4 本章小结 | 第70-73页 |
| 第五章 总结与展望 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-81页 |
| 致谢 | 第81-83页 |
| 作者简介 | 第83-85页 |
