| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 引言 | 第9-13页 |
| 第二章 CMOS 器件物理效应 | 第13-32页 |
| 2.1 引言 | 第13页 |
| 2.2 阈值电压 | 第13-18页 |
| 2.2.1 垂直与横向不均匀浓度掺杂 | 第13-15页 |
| 2.2.2 短沟道和DIBL 效应 | 第15-17页 |
| 2.2.3 窄沟道效应 | 第17-18页 |
| 2.3 栅极直接隧穿电流 | 第18-19页 |
| 2.4 漏极电流 | 第19-24页 |
| 2.4.1 基极电荷效应 | 第19页 |
| 2.4.2 载流子迁移率和速度饱和 | 第19-23页 |
| 2.4.3 源漏寄生电阻 | 第23页 |
| 2.4.4 饱和区输出电导 | 第23-24页 |
| 2.5 基极电流 | 第24-26页 |
| 2.6 短沟道电容 | 第26页 |
| 2.7 STI 压应力效应 | 第26-28页 |
| 2.8 阱邻近效应 | 第28-30页 |
| 2.9 温度相依性 | 第30-31页 |
| 2.10 小结 | 第31-32页 |
| 第三章 PSP 模型 | 第32-49页 |
| 3.1 引言 | 第32页 |
| 3.2 本征模型 | 第32-40页 |
| 3.2.1 表面势 | 第32-35页 |
| 3.2.2 横向场梯度因子 | 第35页 |
| 3.2.3 漏极电流 | 第35-39页 |
| 3.2.4 内部电荷 | 第39-40页 |
| 3.3 外部模型 | 第40-45页 |
| 3.3.1 叠加区表面势 | 第40-41页 |
| 3.3.2 体电流 | 第41-42页 |
| 3.3.3 栅电流 | 第42-44页 |
| 3.3.4 外部电荷 | 第44-45页 |
| 3.4 噪声模型 | 第45-46页 |
| 3.5 结型二极管模型 | 第46页 |
| 3.6 PSP 模型的特点 | 第46-47页 |
| 3.7 小结 | 第47-49页 |
| 第四章 测试结构设计和数据测试 | 第49-59页 |
| 4.1 引言 | 第49页 |
| 4.2 器件测试结构设计 | 第49-55页 |
| 4.2.1 CMOS 器件尺寸与矩阵 | 第49-51页 |
| 4.2.2 CMOS 器件中的寄生电容 | 第51-55页 |
| 4.3 数据测试 | 第55-58页 |
| 4.3.1 测试条件和环境 | 第55-56页 |
| 4.3.2 测试数据的分类 | 第56-58页 |
| 4.4 小结 | 第58-59页 |
| 第五章 PSP 模型参数提取 | 第59-77页 |
| 5.1 引言 | 第59-60页 |
| 5.2 LOCAL 参数提取 | 第60-69页 |
| 5.2.1 交流参数提取 | 第60-62页 |
| 5.2.2 直流参数提取 | 第62-68页 |
| 5.2.3 温度参数提取 | 第68-69页 |
| 5.3 BINNING 参数提取 | 第69-70页 |
| 5.4 GLOBAL 参数提取 | 第70-72页 |
| 5.4.1 常规参数定义 | 第70-71页 |
| 5.4.2 GLOBAL 参数提取流程 | 第71-72页 |
| 5.5 PSP 模型和BSIM4 模型参数提取的比较 | 第72-76页 |
| 5.6 小结 | 第76-77页 |
| 第六章 总结和展望 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-81页 |
| 附录 | 第81-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第86页 |