| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 引言 | 第9-12页 |
| 1.2 论文课题研究的意义 | 第12页 |
| 1.3 本课题的主要工作 | 第12-14页 |
| 第2章 传统半导体晶体管的简介 | 第14-19页 |
| 2.1 PN二极管的结构和工作原理 | 第14-15页 |
| 2.1.1 PN二极管的基本结构 | 第14页 |
| 2.1.2 PN二极管的基本工作原理 | 第14-15页 |
| 2.2 MOSFET晶体管 | 第15-19页 |
| 2.2.1 MOSFET的基础理论 | 第15页 |
| 2.2.2 MOSFET管子的基本结构和工作原理 | 第15-16页 |
| 2.2.3 MOSFET的亚阈值特性 | 第16-19页 |
| 第3章 隧穿效应及TFET器件基本结构 | 第19-24页 |
| 3.1 隧穿效应 | 第19页 |
| 3.2 隧穿几率 | 第19-21页 |
| 3.3 TFET基本结构 | 第21-24页 |
| 第4章 TFET器件性能分析与结构优化 | 第24-51页 |
| 4.1 源、漏、本征区浓度参数对电学特性的影响 | 第24-29页 |
| 4.2 栅极宽度变化对隧穿场效应晶体管电学特性的影响 | 第29-34页 |
| 4.3 使用不同介电常数绝缘材料对隧穿场效应晶体管进行优化 | 第34-40页 |
| 4.4 PI结势垒区平行于栅极边缘对隧穿场效应晶体管性能的影响 | 第40-45页 |
| 4.5 利用金属源区改进隧穿场效应晶体管的电学特性 | 第45-48页 |
| 4.6 本章小结 | 第48-51页 |
| 第5章 结论 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 在学研究成果 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57页 |
