| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第13-15页 |
| 缩略语对照表 | 第15-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-22页 |
| 1.1 GaN材料的优势 | 第18-19页 |
| 1.2 GaN HEMT微波功率器件内匹配模块的发展概述 | 第19-20页 |
| 1.3 本文工作安排 | 第20-22页 |
| 第二章 GaN HEMT器件原理和工艺实现及特性建模 | 第22-40页 |
| 2.1 GaN HEMT器件的原理 | 第22-24页 |
| 2.2 GaN HEMT的工艺流程 | 第24-28页 |
| 2.2.1 圆片清洗 | 第24-25页 |
| 2.2.2 欧姆接触 | 第25-26页 |
| 2.2.3 台面刻蚀 | 第26页 |
| 2.2.4 表面钝化 | 第26-27页 |
| 2.2.5 栅槽光刻和栅金属形成 | 第27-28页 |
| 2.3 GaN HEMT直流和交流特性测试 | 第28-29页 |
| 2.4 GaN HEMT器件建模 | 第29-40页 |
| 2.4.1 GaN HEMT小信号建模 | 第29-36页 |
| 2.4.2 EEHEMT模型简介 | 第36-40页 |
| 第三章 微波传输线理论与阻抗匹配 | 第40-62页 |
| 3.1 传输线理论 | 第40-43页 |
| 3.2 微带线 | 第43-44页 |
| 3.3 阻抗匹配 | 第44-51页 |
| 3.3.1 L形匹配网络 | 第45-47页 |
| 3.3.2 T形和 π 型匹配网络 | 第47-50页 |
| 3.3.3 四分之一波长变换线 | 第50-51页 |
| 3.4 功率放大器 | 第51-55页 |
| 3.5 功率分配器 | 第55-62页 |
| 3.5.1 无耗T型结 | 第56-57页 |
| 3.5.2 电阻性分配器 | 第57-58页 |
| 3.5.3 Wilkinson功分器 | 第58-62页 |
| 第四章X波段内匹配电路设计与实现 | 第62-82页 |
| 4.1 内匹配电路的设计原理 | 第62-63页 |
| 4.2 确定器件的输入和输出阻抗 | 第63-66页 |
| 4.3 输入和输出匹配网络设计 | 第66-68页 |
| 4.4 Wilkinson功分器设计 | 第68-70页 |
| 4.5 Wilkinson功分器、功合器与匹配元件整体仿真 | 第70-75页 |
| 4.6 功分器和介质电容版图绘制与调整 | 第75-77页 |
| 4.7 内匹配电路的装配 | 第77-82页 |
| 第五章 夹具设计与内匹配电路测试 | 第82-94页 |
| 5.1 测试夹具设计 | 第82-88页 |
| 5.1.1 偏置电路设计与仿真 | 第82-86页 |
| 5.1.2 夹具盒设计与仿真 | 第86-88页 |
| 5.2 夹具装配和测试 | 第88-89页 |
| 5.3 微波功率测试 | 第89-94页 |
| 5.3.1 微波功率测试平台的搭建和校准 | 第89-92页 |
| 5.3.2 内匹配模块的功率测试 | 第92-94页 |
| 第六章 总结与展望 | 第94-96页 |
| 参考文献 | 第96-100页 |
| 致谢 | 第100-102页 |
| 作者简介 | 第102-103页 |
| 1.基本情况 | 第102页 |
| 2.教育背景 | 第102页 |
| 3.攻读硕士学位期间的研究成果 | 第102-103页 |
