| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 论文的研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 存储器的分类 | 第10-12页 |
| 1.2.1 非挥发性存储器 | 第10-11页 |
| 1.2.2 挥发性存储器 | 第11-12页 |
| 1.3 SRAM及其灵敏放大器的研究意义 | 第12-14页 |
| 1.4 论文的整体结构 | 第14-15页 |
| 第2章 SRAM结构简介 | 第15-27页 |
| 2.1 SRAM的基本结构 | 第15-17页 |
| 2.1.1 SRAM (512x16 bit)版图 | 第16-17页 |
| 2.2 SRAM存储单元电路 | 第17-21页 |
| 2.2.1 6T单元 | 第17-19页 |
| 2.2.2 7T和8T单元 | 第19-21页 |
| 2.3 存储阵列 | 第21-23页 |
| 2.4 地址译码器电路 | 第23-24页 |
| 2.5 灵敏放大器 | 第24-25页 |
| 2.5.1 灵敏放大器的设计难点 | 第25页 |
| 2.6 SRAM发展趋势 | 第25-27页 |
| 第3章 灵敏放大器的理论分析与比较 | 第27-43页 |
| 3.1 电压型灵敏放大器 | 第27-39页 |
| 3.1.1 电流镜型灵敏放大器 | 第28-30页 |
| 3.1.2 交叉耦合型灵敏放大器 | 第30-32页 |
| 3.1.3 锁存型灵敏放大器 | 第32-34页 |
| 3.1.4 增加平衡管的锁存型灵敏放大器 | 第34-39页 |
| 3.2 电流型灵敏放大器 | 第39-43页 |
| 3.2.1 MCSA电流型灵敏放大器 | 第40-43页 |
| 第4章 新型自写回灵敏放大器的设计 | 第43-56页 |
| 4.1 新型自写回灵敏放大器的设计思想背景 | 第43-46页 |
| 4.1.1 原有自写回灵敏放大器的介绍与分析 | 第43-45页 |
| 4.1.2 读破坏 | 第45-46页 |
| 4.2 新型自写回灵敏放大器 | 第46-50页 |
| 4.2.1 新提出的自写回灵敏放大器的原理分析 | 第46-50页 |
| 4.3 新型自写回灵敏放大器的性能仿真 | 第50-56页 |
| 4.3.1 不同电源电压下,新型自写回灵敏放大器速度表现 | 第50-52页 |
| 4.3.2 不同负载下,新型自写回灵敏放大器的速度表现 | 第52-54页 |
| 4.3.3 新型自写回灵敏放大器的功耗分布 | 第54-55页 |
| 4.3.4 新型自写回灵敏放大器的失调电压 | 第55-56页 |
| 第5章 总结与展望 | 第56-57页 |
| 工作总结 | 第56页 |
| 工作展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 附图表 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
