| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 红外探测器的发展趋势 | 第9-10页 |
| 1.2 红外探测器的国内外研究现状 | 第10-15页 |
| 1.3 本论文的研究内容 | 第15-17页 |
| 第2章 新型红外探测器的工作原理 | 第17-35页 |
| 2.1 红外探测器的工作原理 | 第17-19页 |
| 2.2 气体吸收红外辐射的推理及其计算 | 第19-22页 |
| 2.2.1 气体吸收红外辐射的原理与条件 | 第19-21页 |
| 2.2.2 辐射与腔内压强变化关系： | 第21-22页 |
| 2.3 弹性敏感薄膜的研究及计算 | 第22-28页 |
| 2.3.1 薄膜形变分析 | 第22-26页 |
| 2.3.2 压电薄膜影响因素理论解析 | 第26-28页 |
| 2.4 GaN HEMT材料性质及工作原理 | 第28-34页 |
| 2.4.1 Al_xGa_(1-x)N/GaN材料特性 | 第28-31页 |
| 2.4.2 AlGaN/GaN异质结的物理特性 | 第31-33页 |
| 2.4.3 AlGaN/GaN HEMT工作原理 | 第33-34页 |
| 2.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 第3章 新型室温红外探测器结构设计 | 第35-49页 |
| 3.1 GaN/AlGaN压电薄膜的设计 | 第35-43页 |
| 3.1.1 弹性薄膜的静态特性 | 第36-41页 |
| 3.1.2 弹性敏感薄膜动态特性 | 第41-43页 |
| 3.2 GaN HEMT结构设计 | 第43-48页 |
| 3.2.1 sentaurus TCAD的介绍 | 第43-45页 |
| 3.2.2 结构设计过程 | 第45-48页 |
| 3.3 本章小结 | 第48-49页 |
| 第4章 器件仿真以及结构优化 | 第49-61页 |
| 4.1 器件的直流特性模拟结果 | 第49-53页 |
| 4.2 AlGaN/GaN HEMT器件结构优化 | 第53-59页 |
| 4.3 器件的小信号特性分析 | 第59-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69页 |