| 中文摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 引言 | 第10-22页 |
| §1.1 中子与物质的相互作用及探测方法综述 | 第10-11页 |
| §1.2 中子照相的研究现状及进展 | 第11-12页 |
| §1.3 中子照相技术综述 | 第12-21页 |
| 1.3.1 中子照相技术的原理及类型 | 第12-15页 |
| 1.3.2 热中子照相技术的研究现状及进展 | 第15-17页 |
| 1.3.3 快中子照相技术的研究现状及进展 | 第17-21页 |
| §1.4 论文主要研究内容 | 第21-22页 |
| 第二章 基于微通道板的快中子照相二维像探测器的设计思想及方案 | 第22-29页 |
| §2.1 用于快中照相的D-T/D-D中子源简介 | 第22-23页 |
| §2.2 基于的微通道的快中子照相二维板像探测器的设计思想及方案 | 第23-24页 |
| §2.3 微通道二维板像探测器需研究的基本问题 | 第24-28页 |
| 2.3.1 转换器 | 第24-25页 |
| 2.3.2 微通道探测器技术 | 第25-26页 |
| 2.3.3 图像数据采集技术及图像重建 | 第26-28页 |
| §2.4 小结 | 第28-29页 |
| 第三章 快中子转换器特性的蒙特卡洛模拟研究与设计 | 第29-44页 |
| §3.1 转换器转换效率模拟及转换器材料选择 | 第29-31页 |
| 3.1.1 模拟程序MCNP简介 | 第29页 |
| 3.1.2 模拟模型建立 | 第29-30页 |
| 3.1.3 模拟结果及讨论 | 第30-31页 |
| §3.2 14.5MeV快中子在PE转换器上的出射质子特性模拟研究 | 第31-37页 |
| 3.2.1 出射质子积分产额、转换效率及平均能谱模拟 | 第31-34页 |
| 3.2.2 出射质子角分布与微分能谱模拟 | 第34-37页 |
| 3.2.3 小结 | 第37页 |
| §3.3 2.5MeV快中子在PE转换器上的出射质子特性模拟研究 | 第37-42页 |
| 3.3.1 出射反冲质子积分产额、转换效率及平均能谱模拟 | 第38-40页 |
| 3.3.2 出射质子角分布及微分能谱模拟 | 第40-42页 |
| 3.3.3 小结 | 第42页 |
| §3.4 本章总结 | 第42-44页 |
| 第四章 微通道板电子产生与倍增规律的模拟研究 | 第44-55页 |
| §4.1 微通道板探测器结构及电子倍增原理 | 第44-48页 |
| 4.1.1 微通道板的结构、材料及工艺 | 第44-46页 |
| 4.1.2 微通道板探测器的电子倍增原理 | 第46-48页 |
| §4.2 质子在微通道板材料上产生的二次电子特性模拟 | 第48-51页 |
| 4.2.1 模拟模型建立 | 第48-49页 |
| 4.2.2 模拟结果及讨论 | 第49-51页 |
| §4.3 电子在微通道板材料上产生的二次电子特性模拟 | 第51-53页 |
| 4.3.1 模拟模型建立 | 第52页 |
| 4.3.2 模拟结果及讨论 | 第52-53页 |
| §4.4 小结 | 第53-55页 |
| 第五章 微通道板输出电子束斑图像模拟研究 | 第55-69页 |
| §5.1 快中子入射下单片微通道板输出电子束斑图像特性的模拟 | 第55-62页 |
| 5.1.1 模型建立 | 第55-57页 |
| 5.1.2 14.5MeV快中子入射条件下的模拟结果及讨论 | 第57-59页 |
| 5.1.3 2.5MeV快中子入射条件下的模拟结果及讨论 | 第59-61页 |
| 5.1.4 小结 | 第61-62页 |
| §5.2 快中子入射下双片“V”型结构微通道板电子束斑图像特性的模拟 | 第62-67页 |
| 5.2.1 模型建立 | 第62页 |
| 5.2.2 14.5MeV快中子成像特性模拟 | 第62-65页 |
| 5.2.3 2.5MeV快中子成像特性模拟 | 第65-67页 |
| §5.3 本章总结 | 第67-69页 |
| 第六章 其它因素对微通道板像探测器成像特性的影响研究 | 第69-72页 |
| §6.1 快中子核反应对微通道板像探测器成像特性的影响 | 第69-70页 |
| §6.2 中子与PE作用产生γ射线对成像影响的模拟研究 | 第70页 |
| §6.3 总结 | 第70-72页 |
| 第七章 总结与展望 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-77页 |
| 研究生阶段的研究成果(论文) | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
