| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-16页 |
| 1.1 选题依据和研究意义 | 第7-8页 |
| 1.2 国内外研究现状和发展趋势 | 第8-13页 |
| 1.3 二维材料传感器应用的主要原理 | 第13-14页 |
| 1.4 小结 | 第14-16页 |
| 第二章 理论基础及计算方法 | 第16-24页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第16-22页 |
| 2.1.1 绝热近似 | 第16-18页 |
| 2.1.2 Hartree-Folk近似 | 第18-19页 |
| 2.1.3 Kohn-Sham方程 | 第19页 |
| 2.1.4 交换关联能泛函 | 第19-21页 |
| 2.1.4.1 局域密度近似 | 第20-21页 |
| 2.1.4.2 广义梯度近似 | 第21页 |
| 2.1.5 范德华密度泛函方法(vdW-DFT) | 第21-22页 |
| 2.2 Materials studio软件介绍 | 第22-24页 |
| 2.2.1 Materials Studio软件模块功能介绍 | 第22-23页 |
| 2.2.2 Materials Studio软件在高性能计算平台的使用 | 第23-24页 |
| 第三章 石墨烷/全氢化氮化硼异质结的电学特性和功函数调控的理论研究 | 第24-40页 |
| 3.1 研究背景 | 第24-25页 |
| 3.2 计算方法 | 第25-26页 |
| 3.2.1 DFT计算 | 第25-26页 |
| 3.2.2 载流子迁移率 | 第26页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第26-39页 |
| 3.3.1 异质结的几何结构 | 第26-29页 |
| 3.3.2 异质结的电学特性 | 第29-32页 |
| 3.3.3 外加电场对结合能和能带结构的影响 | 第32-36页 |
| 3.3.4 载流子迁移率 | 第36-38页 |
| 3.3.5 功函数 | 第38-39页 |
| 3.4 小结 | 第39-40页 |
| 第四章 石墨烷/硅烷及全氢化氮化硼/硅烷异质结光电特性调控的理论研究 | 第40-54页 |
| 4.1 研究背景 | 第40-41页 |
| 4.2 计算方法 | 第41-43页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第43-53页 |
| 4.3.1 异质结的几何结构与电学特性 | 第43-48页 |
| 4.3.2 外加电场的影响 | 第48-50页 |
| 4.3.3 载流子迁移率 | 第50-51页 |
| 4.3.4 异质结的光学特性 | 第51-53页 |
| 4.4 小结 | 第53-54页 |
| 第五章 石墨烯/氧化铝双层结构电特性及掺杂影响的理论研究 | 第54-59页 |
| 5.1 研究背景 | 第54页 |
| 5.2 计算方法 | 第54-55页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第55-58页 |
| 5.3.1 几何结构 | 第55页 |
| 5.3.2 电学特性 | 第55-56页 |
| 5.3.3 掺杂对电子结构的影响 | 第56-58页 |
| 5.4 小结 | 第58-59页 |
| 总结与展望 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 作者在攻读硕士学位期间主要研究成果 | 第67-68页 |
