| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 氢气提纯技术的产生与发展 | 第8页 |
| 1.2 氢气存储技术的产生与发展 | 第8-9页 |
| 1.3 石墨烯材料的研究与进展 | 第9-12页 |
| 1.4 本文的研究目标、研究内容与研究意义 | 第12-14页 |
| 第二章 理论基础和计算方法 | 第14-28页 |
| 2.1 计算物理概述 | 第14页 |
| 2.2 第一性原理 | 第14-18页 |
| 2.2.1 多电子体系的薛定谔(Schrodinger)方程 | 第14-15页 |
| 2.2.2 Born-Oppenheimer近似 | 第15-16页 |
| 2.2.3 Hartree-Fock近似 | 第16-18页 |
| 2.3 密度泛函理论 | 第18-22页 |
| 2.3.1 Thomas-Fermi模型 | 第18-19页 |
| 2.3.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第19页 |
| 2.3.3 Kohn-Sham方程 | 第19-20页 |
| 2.3.4 交换关联能近似 | 第20-22页 |
| 2.4 过渡态理论 | 第22-23页 |
| 2.4.1 过渡态搜索算法 | 第22-23页 |
| 2.4.2 IRC方法计算反应路径 | 第23页 |
| 2.5 计算软件 | 第23-28页 |
| 2.5.1 Gaussian | 第24-26页 |
| 2.5.2 GaussView | 第26页 |
| 2.5.3 GaussSum | 第26-28页 |
| 第三章 带缺陷的石墨烯纳米片的结构及性质的理论研究 | 第28-36页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 计算模型 | 第28-29页 |
| 3.3 不同缺陷结构的石墨烯纳米片的理论计算 | 第29-33页 |
| 3.3.1 带缺陷的石墨烯纳米片的结构优化 | 第29-30页 |
| 3.3.2 带缺陷的石墨烯纳米片电学、光学性质计算 | 第30-33页 |
| 3.4 缺陷的密度对石墨烯纳米片的影响的理论计算 | 第33-34页 |
| 3.5 本章小结 | 第34-36页 |
| 第四章 石墨烯纳米片—C_(216)作为氢气分离膜材料的研究 | 第36-44页 |
| 4.1 引言 | 第36-38页 |
| 4.2 计算方法 | 第38-39页 |
| 4.3 C_(216)与常见气体的相互作用 | 第39-40页 |
| 4.4 石墨烯纳米片C_(216)作为氢气分离膜的研究 | 第40-43页 |
| 4.4.1 气体透过C_(216)的过渡能垒的计算 | 第40-41页 |
| 4.4.2 气体通过C_(216)的选择率的计算 | 第41-42页 |
| 4.4.3 结果分析 | 第42-43页 |
| 4.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 第五章 Li掺杂的多孔石墨片C_(180)的储氢性能的研究 | 第44-52页 |
| 5.1 引言 | 第44-46页 |
| 5.2 计算方法 | 第46页 |
| 5.3 多孔石墨烯片C_(180)的结构设计 | 第46-47页 |
| 5.4 Li原子掺杂的多孔石墨片C_(180) | 第47-49页 |
| 5.5 Li原子掺杂的多孔石墨片C_(36)的储氢性能的研究 | 第49-51页 |
| 5.6 本章小结 | 第51-52页 |
| 第六章 总结与展望 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-62页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
