| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| ·研究背景 | 第9页 |
| ·固态图像传感器的发展与现状 | 第9-13页 |
| ·CCD 图像传感器的发展与现状 | 第10页 |
| ·CMOS 图像传感器的发展与现状 | 第10-12页 |
| ·CCD 图像传感器与 CMOS 图像传感器的比较 | 第12-13页 |
| ·基于 SOI 的 CMOS 图像传感器 | 第13-15页 |
| ·研究意义与目的 | 第15-16页 |
| ·论文的内容安排 | 第16-17页 |
| 第2章 CMOS 图像传感器工作原理及像素结构 | 第17-33页 |
| ·CMOS 图像传感器工作原理 | 第17-21页 |
| ·CMOS 图像传感器结构 | 第17-18页 |
| ·半导体光电转换 | 第18-21页 |
| ·像素结构与性能指标 | 第21-32页 |
| ·像素结构 | 第21-27页 |
| ·主流像素结构的性能对比 | 第27-28页 |
| ·CMOS 图像传感器性能指标及像素设计考虑 | 第28-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第3章 PPD 型 4T 像素的工艺制程仿真 | 第33-43页 |
| ·PPD 型 4T 像素结构概述及仿真软件介绍 | 第33-35页 |
| ·硅基片准备 | 第35页 |
| ·隔离工艺 | 第35-36页 |
| ·沟道工程 | 第36-37页 |
| ·栅工程 | 第37-38页 |
| ·感光区掩埋 N 层形成和源漏轻掺杂 | 第38-39页 |
| ·侧墙形成和多晶硅掺杂 | 第39-40页 |
| ·PPD 的形成 | 第40-41页 |
| ·工艺仿真结果 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 PPD 型 4T 像素的特性仿真 | 第43-69页 |
| ·特性仿真介绍 | 第43-44页 |
| ·特性仿真工具介绍 | 第43页 |
| ·特性仿真建模 | 第43-44页 |
| ·像素时序及瞬态仿真结果 | 第44-46页 |
| ·像素时序图 | 第44-45页 |
| ·瞬态仿真结果 | 第45-46页 |
| ·扩大像素感光区面积 | 第46-50页 |
| ·优化方案 | 第46-48页 |
| ·方案仿真 | 第48-50页 |
| ·电荷转移过程 PPD 电势垒抑制 | 第50-55页 |
| ·优化方案 | 第50-52页 |
| ·方案仿真 | 第52-55页 |
| ·形成沟道内梯度电势的方法 | 第55-60页 |
| ·优化方案 | 第55-57页 |
| ·方案仿真 | 第57-60页 |
| ·优化前后的像素性能参数 | 第60-61页 |
| ·单粒子入射对 PPD 型像素的影响 | 第61-68页 |
| ·单粒子入射浅槽隔离左侧位置的影响 | 第61-63页 |
| ·单粒子入射 PPD 中央位置的影响 | 第63-65页 |
| ·单粒子入射 FD 区位置的影响 | 第65-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 结论 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-77页 |
| 致谢 | 第77页 |