| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-23页 |
| ·稀磁半导体的概述 | 第8-19页 |
| ·稀磁半导体的概念 | 第8页 |
| ·稀磁半导体的研究历史 | 第8-9页 |
| ·稀磁半导体的结构和性质 | 第9-11页 |
| ·稀磁半导体的磁性来源 | 第11-17页 |
| ·稀磁半导体的电子运输机理 | 第17-18页 |
| ·稀磁半导体的应用前景 | 第18-19页 |
| ·In_2O_3基稀磁半导体的概述 | 第19-20页 |
| ·In_2O_3的结构 | 第19-20页 |
| ·In_2O_3基稀磁半导体的磁性能 | 第20页 |
| ·本论文的研究目的、意义、研究内容以及存在的问题 | 第20-22页 |
| ·研究的意义 | 第20-21页 |
| ·研究目的 | 第21-22页 |
| ·研究内容 | 第22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 第二章 实验与测试 | 第23-31页 |
| ·溶胶-凝胶法制备Ni、Sn共掺In_2O_3薄膜和纳米颗粒 | 第23-26页 |
| ·溶胶-凝胶的概述 | 第23-24页 |
| ·实验原料与设备 | 第24页 |
| ·实验设备 | 第24-25页 |
| ·样品制备 | 第25-26页 |
| ·薄膜样品的制备 | 第25页 |
| ·粉末样品的制备 | 第25-26页 |
| ·性能表征 | 第26-30页 |
| ·晶体结构—X射线衍射仪(XRD) | 第26-27页 |
| ·形貌—扫描电子显微镜(SEM) | 第27页 |
| ·电性能—Hall效应测试仪、阻抗分析仪 | 第27-29页 |
| ·Hall效应测试仪 | 第27-28页 |
| ·阻抗分析仪 | 第28-29页 |
| ·磁性能—振动样品磁强计(VSM) | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 (In_(0.9-x)Ni_xSn_(0.1))_2O_(3-δ)薄膜样品的结构与性能 | 第31-41页 |
| ·退火温度对(In_(0.9-x)Ni_xSn_(0.1))_2O_(3-δ)薄膜的结构和性能影响 | 第31-36页 |
| ·结构分析 | 第32-33页 |
| ·形貌和厚度分析 | 第33-35页 |
| ·退火温度对(In_(0.77)Ni_(0.13)Sn_(0.1))_2O_(3-δ)薄膜磁性能影响 | 第35-36页 |
| ·Ni掺杂量的变化对(In_(0.9-x)Ni_xSn_(0.1))_2O_(3-δ)薄膜的结构与性能影响 | 第36-38页 |
| ·结构分析 | 第36-37页 |
| ·磁性分析 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-41页 |
| 第四章 (In_(0.9-x)Ni_(0.1)Sn_x)_2O_(3-δ)粉末样品的结构与性能 | 第41-52页 |
| ·Sn掺量对(In_(0.9-x)Ni_(0.1)Sn_x)_2O_(3-δ)粉末样品结构影响 | 第41-43页 |
| ·Sn掺量对(In_(0.9-x)Ni_(0.1)Sn_x)_2O_(3-δ)粉末样品电学性能影响 | 第43-48页 |
| ·Sn掺量对(In_(0.9-x)Ni_(0.1)Sn_x)_2O_(3-δ)粉末样品磁性能的影响 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第五章 结论与展望 | 第52-54页 |
| ·结论 | 第52-53页 |
| ·对于研究工作的展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
