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碘化铟化合物单晶的半导体性能计算及多晶合成

摘要第1-7页
Abstract第7-9页
目录第9-11页
第1章 绪论第11-17页
   ·半导体核探测材料的研究背景和意义第11-12页
   ·室温化合物半导体核探测材料的研究进展及应用第12-13页
   ·碘化铟的研究现状第13-15页
   ·课题研究的目的及意义第15-16页
   ·本文研究的主要内容第16-17页
第2章 第一性原理理论基础第17-28页
   ·多粒子体系第18-19页
     ·单粒子体的薛定谔方程第18页
     ·多粒子体的薛定谔方程第18-19页
   ·求解的近似方法第19-21页
     ·Born - Oppenheimer 定核近似第19-20页
     ·Hartree - Fock 近似第20-21页
   ·密度泛函理论第21-25页
     ·Thomas - Fermi 模型第21-22页
     ·Hohenberg - Kohn 定理第22-23页
     ·Kohn - Sham 方法第23-24页
     ·局域密度近似和广义梯度近似第24-25页
   ·MATERIALS STUDIO 软件介绍第25-26页
     ·Materials Studio 软件的主要组成模块第25-26页
     ·CASTEP 模块的概述第26页
   ·本章小结第26-28页
第3章 碘化铟晶体的第一性原理计算第28-41页
   ·引言第28页
   ·碘化铟晶体的模型构建和结构优化第28-31页
     ·碘化铟晶体的模型构建第28-29页
     ·碘化铟晶体的结构优化第29-31页
   ·碘化铟晶体的电子结构分析第31-35页
     ·碘化铟晶体的能带结构第31-33页
     ·碘化铟晶体的态密度第33-34页
     ·碘化铟晶体的差分电荷密度第34-35页
   ·碘化铟晶体的光学性能分析第35-39页
     ·碘化铟晶体的复介电函数第36-37页
     ·碘化铟晶体的吸收谱第37页
     ·碘化铟晶体的能量损失谱及反射谱第37-39页
     ·碘化铟晶体的复折射率第39页
   ·本章小结第39-41页
第4章 碘化铟多晶合成第41-51页
   ·引言第41页
   ·气相生长法简介第41-43页
     ·气相生长法的类型第42页
     ·气相输运方式第42-43页
   ·碘化铟多晶料的合成第43-48页
     ·碘化铟多晶料的合成原理第43-46页
     ·两温区气相输运法第46-48页
   ·碘化铟多晶料的水平区熔提纯第48-50页
   ·本章小结第50-51页
第5章 碘化铟晶体的性能测试第51-59页
   ·引言第51页
   ·杂质含量测试第51-53页
   ·电镜扫描第53-54页
   ·X 射线衍射图谱第54-55页
   ·禁带宽度第55-56页
   ·电阻率第56-58页
   ·本章小结第58-59页
结论第59-61页
参考文献第61-64页

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