| 摘要 | 第1-9页 |
| ABSTRACT | 第9-12页 |
| 目录 | 第12-15页 |
| 第1章 密度泛函理论简介 | 第15-39页 |
| ·Born-Oppenheimer近似和Hartree-Fock近似 | 第15-20页 |
| ·密度泛函理论基础 | 第20-24页 |
| ·Thomas-Fermi-Dirac近似 | 第20-21页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第21-23页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第23-24页 |
| ·交换相关能量泛函 | 第24-29页 |
| ·局域自旋密度近似 | 第25-27页 |
| ·广义梯度近似 | 第27-28页 |
| ·杂化泛函 | 第28页 |
| ·轨道泛函：SIC,L(S)DA+U,OEP,EXX | 第28-29页 |
| ·密度泛函理论的应用 | 第29-31页 |
| ·基于密度泛函理论的常见的软件包 | 第31-32页 |
| ·参考文献 | 第32-39页 |
| 第2章 分子电子学与介观物理 | 第39-75页 |
| ·分子电子学的研究背景 | 第39-42页 |
| ·介观物理 | 第42-43页 |
| ·单分子器件 | 第43-48页 |
| ·扫描隧道显微镜 | 第44-45页 |
| ·原子力显微镜 | 第45-46页 |
| ·力学可控劈裂结和电迁移劈裂结 | 第46-47页 |
| ·其它方法 | 第47-48页 |
| ·分子电子学的研究进展 | 第48-55页 |
| ·分子开关 | 第48-52页 |
| ·分子整流器 | 第52页 |
| ·分子存储器 | 第52-55页 |
| ·单分子器件中电子输运问题的理论方法 | 第55-67页 |
| ·Landauer-Buttiker理论 | 第56-57页 |
| ·表面格林函数 | 第57-61页 |
| ·递推格林函数 | 第61-63页 |
| ·非平衡格林函数 | 第63-67页 |
| ·常见的基于NEGF和DFT的计算软件包 | 第67-68页 |
| ·参考文献 | 第68-75页 |
| 第3章 烷烃分子链输运性质的第一性原理研究：锚接基团在电子输运中的作用 | 第75-91页 |
| ·背景介绍 | 第75-80页 |
| ·计算细节 | 第80-82页 |
| ·计算结果与讨论 | 第82-86页 |
| ·本章小结 | 第86-87页 |
| ·参考文献 | 第87-91页 |
| 第4章 碳纳米电子学：碳纳米管(CNT)、石墨烯以及准一维石墨烯条带(GNR)做电极形成的分子器件输运性质的比较 | 第91-111页 |
| ·背景介绍 | 第91-95页 |
| ·计算方法和细节 | 第95-97页 |
| ·计算结果和讨论 | 第97-104页 |
| ·基于CNT电极的分子结 | 第97-99页 |
| ·基于2D石墨烯电极的分子结 | 第99-101页 |
| ·基于准1D的GNR电极的分子结 | 第101-104页 |
| ·结果比较与讨论 | 第104-105页 |
| ·本章小结 | 第105-106页 |
| ·参考文献 | 第106-111页 |
| 第5章 单个Co原子及其团簇在Ru(0001)表面的Kondo效应 | 第111-135页 |
| ·背景介绍 | 第111-122页 |
| ·Kondo效应简介 | 第111-114页 |
| ·单个磁性杂质在金属表面的Kondo效应 | 第114-120页 |
| ·两个磁性杂质在金属表而的Kondo效应 | 第120-122页 |
| ·实验简介 | 第122-123页 |
| ·计算细节与讨论 | 第123-130页 |
| ·计算方法 | 第123-124页 |
| ·单个Co原子在Ru(0001)以及Ag(111)表面的Kondo效应 | 第124-126页 |
| ·Co原子二聚体在Ru(0001)表而的Kondo效应 | 第126-127页 |
| ·Co原子三聚体在Ru(0001)表而的Kondo效应 | 第127-130页 |
| ·本章小结 | 第130-131页 |
| ·参考文献 | 第131-135页 |
| 致谢 | 第135-137页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第137页 |
