| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 引言 | 第8-9页 |
| 1 绪论 | 第9-20页 |
| ·GaN基材料的基本性质 | 第9-12页 |
| ·GaN基材料的应用 | 第12-13页 |
| ·相关研究进展 | 第13-18页 |
| ·喷淋头高度对InGaN/GaN量子阱生长的影响 | 第13-15页 |
| ·AlGaN电子阻挡层对LED性能的影响 | 第15-18页 |
| ·论文的主要内容及研究意义 | 第18-20页 |
| 2 GaN薄膜的制备方法与表征技术 | 第20-34页 |
| ·GaN薄膜的常用制备方法及反应系统 | 第20-24页 |
| ·论文所用生长方法及设备 | 第24-27页 |
| ·表征技术 | 第27-32页 |
| ·原子力显微镜(Atomic force microscope) | 第27-28页 |
| ·X射线衍射(X-ray diffraciton) | 第28-30页 |
| ·光致发光谱(Photoluminescence) | 第30-32页 |
| ·Apsys模拟软件 | 第32-34页 |
| 3 喷淋头高度对InGaN/GaN量子阱生长的影响 | 第34-46页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·InGaN/GaN量子阱制备方法 | 第34-35页 |
| ·表征结果与分析 | 第35-44页 |
| ·本章小结 | 第44-46页 |
| 4 Apsys模拟电子阻挡层n-AlGaN对LED性能的影响 | 第46-53页 |
| ·引言 | 第46页 |
| ·Apsys模拟LED样品 | 第46-47页 |
| ·模拟结果与分析 | 第47-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
