| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 目录 | 第10-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-23页 |
| ·非极性材料的研究意义 | 第13-16页 |
| ·GaN材料的发展历程 | 第13-15页 |
| ·量子阱中的量子限制斯塔克效应 | 第15-16页 |
| ·非极性材料的研究现状及进展 | 第16-20页 |
| ·本文的研究内容和安排 | 第20-23页 |
| 第二章 非极性氮化物材料的生长及表征手段 | 第23-37页 |
| ·MOCVD系统介绍 | 第23-28页 |
| ·MOCVD生长GaN薄膜的机理 | 第23-24页 |
| ·MOCVD生长GaN薄膜的工艺流程 | 第24-26页 |
| ·本论文所采用的MOCVD系统 | 第26-28页 |
| ·氮化物外延生长中衬底的选择 | 第28-32页 |
| ·衬底的选择根据 | 第28-29页 |
| ·衬底的简单介绍 | 第29-31页 |
| ·非极性GaN材料所采用的衬底 | 第31-32页 |
| ·材料表征简介 | 第32-36页 |
| ·高分辨X射线衍射仪(HRXRD) | 第32-33页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第33-34页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第34-35页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第35页 |
| ·光致发光(PL) | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 非极性a面GaN的生长研究 | 第37-53页 |
| ·非极性a面GaN和极性c面GaN比较分析 | 第37-42页 |
| ·非极性a面GaN和极性c面GaN结构特征 | 第37-38页 |
| ·非极性a面GaN和极性c面GaN的表面形貌 | 第38-39页 |
| ·非极性a面GaN和极性c面GaN的HRXRD比较 | 第39-42页 |
| ·非极性a面GaN的生长优化 | 第42-44页 |
| ·低温GaN成核层的影响 | 第42页 |
| ·高温AlN成核层的影响 | 第42-43页 |
| ·Ⅴ：Ⅲ的影响 | 第43-44页 |
| ·渐变成核层提高非极性a面GaN的质量 | 第44-46页 |
| ·两步AlN提高非极性a面GaN质量 | 第44-45页 |
| ·AlGaN层提高非极性a面GaN质量 | 第45-46页 |
| ·超晶格结构提高非极性a面GaN的质量 | 第46-51页 |
| ·超晶格结构简介 | 第46-47页 |
| ·超晶格结构提高非极性a面GaN材料的结晶质量 | 第47-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 非极性a面GaN硅掺杂及各向异性电学性质研究 | 第53-65页 |
| ·非极性材料的n型掺杂及电特性的问题 | 第53-54页 |
| ·非极性材料的n型掺杂研究 | 第54-60页 |
| ·非极性材料的n型掺杂生长与试验 | 第54页 |
| ·非极性材料n型掺杂的分析 | 第54-60页 |
| ·非极性材料的电学各向异性研究 | 第60-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 非极性a面GaN的腐蚀研究 | 第65-79页 |
| ·湿法选择性腐蚀 | 第65-68页 |
| ·湿法腐蚀简介 | 第65页 |
| ·湿法选择性腐蚀的应用 | 第65-68页 |
| ·非极性a面GaN的选择性腐蚀 | 第68-78页 |
| ·非极性a面GaN的腐蚀形貌 | 第68-69页 |
| ·非极性a面GaN的腐蚀模型 | 第69-75页 |
| ·腐蚀在非极性a面GaN中的应用 | 第75-78页 |
| ·本章小结 | 第78-79页 |
| 第六章 TiN插入层提高非极性a面GaN材料质量研究 | 第79-95页 |
| ·ELOG简介 | 第79-82页 |
| ·极性GaN的ELOG | 第79-81页 |
| ·非极性GaN的ELOG | 第81-82页 |
| ·TiN提高非极性a面GaN质量 | 第82-90页 |
| ·金属插入层的选择 | 第82-83页 |
| ·采用TiN插入层的非极性a面GaN的生长 | 第83-84页 |
| ·采用TiN插入层的非极性a面GaN的生长结果 | 第84-87页 |
| ·TiN层厚度的优化 | 第87-90页 |
| ·HVPE生长非极性a面GaN | 第90-93页 |
| ·HVPE生长非极性a面GaN | 第90-91页 |
| ·HVPE生长非极性a面GaN的表面形貌 | 第91-92页 |
| ·HVPE生长非极性a面GaN的结晶质量 | 第92页 |
| ·HVPE生长非极性a面GaN的PL谱 | 第92-93页 |
| ·本章小结 | 第93-95页 |
| 第七章 半极性(11-22)面GaN及杂质结合模型研究 | 第95-115页 |
| ·半极性面GaN的研究进展 | 第95-99页 |
| ·半极性面GaN的生长 | 第99-103页 |
| ·半极性(11-22)面GaN的生长 | 第99-100页 |
| ·半极性(11-22)面GaN的表面形貌 | 第100-101页 |
| ·半极性(11-22)面GaN的结晶质量 | 第101-103页 |
| ·超晶格结构提高半极性面GaN的质量 | 第103-109页 |
| ·有超晶格结构的半极性(11-22)面GaN的生长 | 第103-104页 |
| ·有超晶格结构的半极性(11-22)面GaN的表面形貌 | 第104-105页 |
| ·采用超晶格结构的半极性(11-22)面GaN的结晶质量 | 第105-108页 |
| ·采用超晶格结构的半极性(11-22)面GaN的PL谱 | 第108-109页 |
| ·极性对杂质结合和黄带的影响 | 第109-113页 |
| ·杂质结合模型 | 第109-111页 |
| ·杂质结合对黄带的影响 | 第111-113页 |
| ·本章小结 | 第113-115页 |
| 第八章 非极性a面GaN上生长纳米线 | 第115-128页 |
| ·GaN纳米线材料的研究进展 | 第115-119页 |
| ·GaN纳米线器件的研究进展 | 第119-121页 |
| ·非极性a面GaN上生长纳米线 | 第121-126页 |
| ·本章小结 | 第126-128页 |
| 第九章 结束语 | 第128-132页 |
| ·本文的主要结论 | 第128-129页 |
| ·未来的工作 | 第129-132页 |
| 致谢 | 第132-134页 |
| 参考文献 | 第134-150页 |
| 作者攻读博士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第150-153页 |
