| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-20页 |
| ·微电子技术发展趋势 | 第10-11页 |
| ·MOS 器件等比缩小及面临的挑战 | 第11-12页 |
| ·高k栅介质研究进展 | 第12-15页 |
| ·高k栅介质Ge-MOS器件研究概况 | 第15-18页 |
| ·本文的主要内容 | 第18-20页 |
| 2 超薄高k栅介质Ge-MOSFET的电特性模拟研究 | 第20-37页 |
| ·MEDICI模型选取及模型参数的设定 | 第20-24页 |
| ·阈值电压和亚阈斜率的提取方法 | 第24页 |
| ·模拟结果及分析 | 第24-30页 |
| ·叠层高k栅介质MOSFET阈值电压模型 | 第30-35页 |
| ·本章小结 | 第35-37页 |
| 3 电子束蒸发淀积高k栅介质Ge-MOS电容工艺及电性能研究 | 第37-51页 |
| ·样品制备流程 | 第37-40页 |
| ·电特性参数的提取 | 第40-45页 |
| ·La_2O_3栅介质 Ge-MOS电容淀积工艺与电特性研究 | 第45-47页 |
| ·La_2O_3栅介质Ge-MOS电容退火工艺研究 | 第47-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 4 磁控溅射淀积高k栅介质Ge-MOS电容工艺及电性能研究 | 第51-59页 |
| ·样品制备流程 | 第51-53页 |
| ·磁控溅射方法制备的La_2O_3 / Ge-MOS电容电特性研究 | 第53-55页 |
| ·LaON栅介质 Ge-MOS电容制备工艺及电特性研究 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 5 总结 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 附录1 攻读学位期间发表论文目录 | 第66页 |
