| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-14页 |
| ·能源现状与可再生能源的重要性 | 第10页 |
| ·热电材料的发展及其价值 | 第10-11页 |
| ·nc-Si及Cu_2O薄膜材料的特性及应用 | 第11页 |
| ·本论文研究的主要内容和意义 | 第11-14页 |
| 第2章 薄膜材料的制备与表征 | 第14-26页 |
| ·薄膜材料的制备方法 | 第14-17页 |
| ·真空热蒸发(Vacuum thermal evaporation) | 第14-15页 |
| ·化学浴沉积法(Chemical bath deposition CBD) | 第15页 |
| ·磁控溅射法(Magnetron sputtering MS method) | 第15-16页 |
| ·溶胶-凝胶法(Sol-gel) | 第16页 |
| ·等离子体化学气相沉积(Plasma chemical vapor deposition) | 第16-17页 |
| ·薄膜的生长机理 | 第17-18页 |
| ·薄膜材料的主要表征技术 | 第18-26页 |
| ·XRD分析 | 第18-19页 |
| ·Raman分析 | 第19-21页 |
| ·SEM分析 | 第21-22页 |
| ·TEM分析 | 第22-23页 |
| ·AFM分析 | 第23-24页 |
| ·(U-Ⅳ)紫外可见近红外光谱分析 | 第24-26页 |
| 第3章 横向晶化率不同的纳米硅(nc-Si)薄膜的制备 | 第26-34页 |
| ·衬底的准备过程 | 第26页 |
| ·非晶硅薄膜的制备 | 第26-29页 |
| ·实验装置图 | 第27页 |
| ·实验操作步骤 | 第27-28页 |
| ·Si氧化薄层的形成 | 第28页 |
| ·溅射制备a-Si薄膜的实验参数 | 第28-29页 |
| ·非均匀厚度Al膜的制备 | 第29-31页 |
| ·实验装置图 | 第29-30页 |
| ·实验操作步骤 | 第30-31页 |
| ·横向晶化率不同的纳米晶硅(nc-Si)薄膜的制备 | 第31-34页 |
| ·退火实验装置图 | 第31页 |
| ·退火操作步骤 | 第31-34页 |
| 第4章 横向晶化率不同的纳米硅(nc-Si)薄膜特性的研究 | 第34-44页 |
| ·XRD测试与分析 | 第36-37页 |
| ·EDAX分析 | 第37-38页 |
| ·光学显微镜分析 | 第38页 |
| ·Raman测试与分析 | 第38-39页 |
| ·SEM和TEM分析 | 第39-41页 |
| ·纳米硅(nc-Si)薄膜热电特性的研究 | 第41-44页 |
| 第5章 氧化亚铜(Cu_2O)薄膜的制备与特性研究 | 第44-54页 |
| ·氧化亚铜(Cu_2O)薄膜的制备 | 第44页 |
| ·沸腾CuSO_4溶液中制备Cu_2O薄膜 | 第44页 |
| ·室温CuSO_4溶液中制备Cu_2O薄膜 | 第44页 |
| ·沸腾CuSO_4溶液中制备氧化亚铜薄膜的测试研究 | 第44-50页 |
| ·pH值的测试与分析 | 第44-45页 |
| ·XRD测试与分析 | 第45-46页 |
| ·SEM分析 | 第46-47页 |
| ·反射谱测试与分析 | 第47-48页 |
| ·AFM测试结果与分析 | 第48-49页 |
| ·PL测试与分析 | 第49-50页 |
| ·室温CuSO_4溶液中制备氧化亚铜薄膜的测试与研究 | 第50-54页 |
| ·XRD测试与分析 | 第50-51页 |
| ·SEM分析 | 第51-52页 |
| ·反射谱测试与分析 | 第52-53页 |
| ·PL测试与分析 | 第53-54页 |
| 结论 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |
| 攻读硕士期间的研究成果 | 第62页 |
