| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-19页 |
| ·MOS 电容的C-V 特性 | 第8-11页 |
| ·理想情况下的C-V 曲线 | 第9-10页 |
| ·实际情况下的C-V 曲线 | 第10-11页 |
| ·MOS 电容C-V 特性测试的意义 | 第11页 |
| ·C-V 特性测试仪的现状 | 第11-14页 |
| ·MOS 电容高频C-V 测试平台研究的目的和意义 | 第14页 |
| ·SIGE PMOSFET 概述 | 第14-17页 |
| ·SiGe 器件的发展历程 | 第14-16页 |
| ·国内外SiGe MOSFET 的研究状况 | 第16-17页 |
| ·应变SiGe PMOSFET 阈值电压研究的意义 | 第17页 |
| ·本论文的主要工作 | 第17-19页 |
| 2 硬件电路总体方案设计 | 第19-28页 |
| ·MOS 电容高频C-V 特性的测量原理 | 第19-23页 |
| ·MOS 电容高频C-V 特性概述 | 第19页 |
| ·电容的测量方法 | 第19-21页 |
| ·MOS 电容测量原理 | 第21-23页 |
| ·电路总体方案设计 | 第23-27页 |
| ·电路设计指标 | 第27页 |
| ·小结 | 第27-28页 |
| 3 功能模块电路设计 | 第28-48页 |
| ·高频信号产生模块 | 第28-33页 |
| ·MAX038 高频函数发生器简介 | 第28-30页 |
| ·高频信号产生电路的设计 | 第30-33页 |
| ·检测模块 | 第33-34页 |
| ·滤波模块 | 第34-39页 |
| ·检波模块 | 第39-42页 |
| ·电源模块 | 第42-44页 |
| ·整体电路测试 | 第44-47页 |
| ·小结 | 第47-48页 |
| 4 应变SIGE 沟道PMOSFET 阈值电压模型 | 第48-58页 |
| ·模型建立 | 第48-53页 |
| ·一维模型 | 第49-51页 |
| ·准二维模型 | 第51-53页 |
| ·结果分析与讨论 | 第53-57页 |
| ·小结 | 第57-58页 |
| 5 总结 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 附录 作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第64页 |
