空间用微波多功能MMIC研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-8页 |
| 插图 | 第8-13页 |
| 表格 | 第13-16页 |
| 注释表 | 第16-18页 |
| 1.绪论 | 第18-25页 |
| ·多功能MMIC概述 | 第18-23页 |
| ·国外情况综述 | 第18-19页 |
| ·国内情况综述 | 第19-20页 |
| ·发展趋势综述 | 第20-22页 |
| ·典型应用场合 | 第22-23页 |
| ·多功能MMIC利VS.弊 | 第23页 |
| ·本篇论文的研究内容 | 第23-24页 |
| ·本篇论文的框架结构 | 第24-25页 |
| 2.多功能MMIC方案论证 | 第25-39页 |
| ·商业MMIC EDA软件 | 第25-29页 |
| ·软件调研 | 第25-28页 |
| ·软件选择 | 第28-29页 |
| ·衬底材料 | 第29-30页 |
| ·材料调研 | 第29页 |
| ·材料选择 | 第29-30页 |
| ·管芯选择 | 第30-32页 |
| ·GaAs基FET管芯调研 | 第30-32页 |
| ·GaAs基FET管芯选择 | 第32页 |
| ·工艺线选择 | 第32-35页 |
| ·国内情况综述 | 第32-33页 |
| ·发展趋势综述 | 第33-34页 |
| ·GaAs MMIC代工厂商调研 | 第34-35页 |
| ·GaAs工艺线选择 | 第35页 |
| ·拟定实施方案 | 第35-36页 |
| ·拟定拓扑结构 | 第35-36页 |
| ·拟定整体性能指标 | 第36页 |
| ·设计过程备注 | 第36-39页 |
| ·设计前预备工作 | 第36页 |
| ·如何减小HEMT管芯寄生参数 | 第36-37页 |
| ·空间辐射效应 | 第37页 |
| ·Layout设计过程备注 | 第37-39页 |
| 3.Demokit-HEMT开关特性研究 | 第39-55页 |
| ·原理简述 | 第39页 |
| ·相关研究 | 第39-55页 |
| ·串联型拓扑结构 | 第39-47页 |
| ·Single-HEMT拓扑结构 | 第47-51页 |
| ·Twins-HEMT拓扑结构 | 第51-55页 |
| 4.五位数字衰减器设计 | 第55-65页 |
| ·实施方案 | 第55-60页 |
| ·低衰减比特位设计方案 | 第55-57页 |
| ·高衰减比特位设计方案 | 第57-58页 |
| ·五位级联衰减网络设计方案 | 第58页 |
| ·驱动电路设计 | 第58-60页 |
| ·拟定性能指标 | 第60-61页 |
| ·整体设计仿真 | 第61-65页 |
| ·Layout拓扑结构示意图 | 第61-62页 |
| ·五位级联仿真曲线 | 第62-65页 |
| 5.五位数字移相器设计 | 第65-75页 |
| ·实施方案 | 第65-70页 |
| ·小相移网络设计方案 | 第66页 |
| ·大相移网络设计方案 | 第66-70页 |
| ·五位级联相移网络设计方案 | 第70页 |
| ·拟定性能指标 | 第70页 |
| ·整体设计仿真 | 第70-75页 |
| ·Layout拓扑结构示意图 | 第71-72页 |
| ·五位级联仿真曲线 | 第72-75页 |
| 6.微波小信号放大器设计 | 第75-85页 |
| ·实施方案 | 第75-81页 |
| ·稳定性设计方案 | 第75-78页 |
| ·偏置网络设计方案 | 第78-80页 |
| ·偏压电路设计 | 第80页 |
| ·匹配网络设计方案 | 第80-81页 |
| ·拟定性能指标 | 第81页 |
| ·整体设计仿真 | 第81-85页 |
| ·拓扑结构示意图 | 第81-83页 |
| ·仿真曲线 | 第83-85页 |
| 7.GaAs MMIC空间辐射效应浅析 | 第85-102页 |
| ·空间辐射环境和空间辐射源 | 第85-86页 |
| ·半导体辐射效应概述 | 第86-89页 |
| ·Si基器件VS.GaAs基器件 | 第86-88页 |
| ·本章节研究内容简述 | 第88-89页 |
| ·电离总剂量辐射效应 | 第89-90页 |
| ·稳态电离总剂量效应 | 第89页 |
| ·瞬态电离剂量率(瞬态、高剂量率脉冲) | 第89-90页 |
| ·瞬态+稳态电离辐射效应 | 第90页 |
| ·位移损伤效应 | 第90-92页 |
| ·单粒子效应 | 第92-94页 |
| ·单粒子翻转效应SEU | 第92-94页 |
| ·单粒子烧毁效应SEB | 第94页 |
| ·半导体器件的抗辐射屏蔽加固措施 | 第94-100页 |
| ·GaAs HEMT抗辐射技术 | 第94-96页 |
| ·涂层局部点屏蔽 | 第96-97页 |
| ·采用抗辐射表面钝化材料 | 第97-98页 |
| ·冗余设计 | 第98页 |
| ·预辐射筛选试验 | 第98页 |
| ·空间辐射环境模型 | 第98-100页 |
| ·本章小结 | 第100-102页 |
| 结论 | 第102-105页 |
| 致谢 | 第105-106页 |
| 参考文献 | 第106-111页 |
| 附录A | 第111-116页 |
| 附录B | 第116-118页 |
| 附录C | 第118-119页 |
