| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| ·碳化硅材料特性及其在微波领域的应用 | 第8-9页 |
| ·微波功率SiC MESFET器件的进展 | 第9-11页 |
| ·微波功率SiC MESFET器件大信号建模概述 | 第11-12页 |
| ·本文的主要内容 | 第12-13页 |
| 第二章 微波功率SiC MESFET小信号等效电路建模 | 第13-25页 |
| ·功率SiC MESFET小信号等效电路模型简介 | 第13-16页 |
| ·改进的cold FET方法提取SiC MESFET小信号模型寄生元件参数 | 第16-22页 |
| ·SiC MESFET寄生电容提取 | 第16-18页 |
| ·SiC MESFET寄生电感和电阻提取 | 第18-22页 |
| ·SiC MESFET小信号本征元件参数提取 | 第22-23页 |
| ·SiC MESFET小信号等效电路模型元件参数优化 | 第23-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 微波功率SiC MESFET大信号经验模型 | 第25-51页 |
| ·功率SiC MESFET直流I—V特性分析 | 第26-40页 |
| ·4H-MESFET直流I—V特性解析模型 | 第27-31页 |
| ·直流I—V特性经验模型 | 第31-40页 |
| ·功率SiC MESFET非线性电容模型 | 第40-42页 |
| ·栅源电容C_(gs)模型和栅漏电容C_(gd)模型 | 第40-41页 |
| ·漏源电容C_(ds) | 第41-42页 |
| ·栅源电流I_(gs)和栅漏电流I_(gd)模型 | 第42页 |
| ·色散模型 | 第42-43页 |
| ·温度相关特性模型 | 第43-45页 |
| ·大信号模型的验证 | 第45-50页 |
| ·ADS用户定义模型简介 | 第45-46页 |
| ·SiC MESFET大信号SDD模型的实现及其验证 | 第46-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 基于支持向量回归机的大信号模拟 | 第51-61页 |
| ·SVR简介 | 第52-55页 |
| ·SiC MESFET大信号SVR模型 | 第55-60页 |
| ·基于SVR的S参数测量 | 第55-56页 |
| ·大信号CAD应用SVR模型 | 第56-58页 |
| ·SiC MESFET大信号SVR模型的验证 | 第58-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 结束语 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 在校期间取得的成果 | 第69页 |
