MEMS薄膜基片中的工艺残余应力实验分析
| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-10页 |
| ·课题研究的背景和意义 | 第7-8页 |
| ·MEMS 工艺残余应力测试的常用方法与发展现状 | 第8-9页 |
| ·本文主要工作 | 第9-10页 |
| 第二章 残余应力的微尺度无损检测技术 | 第10-22页 |
| ·拉曼光谱技术与微尺度实验力学测试 | 第10-16页 |
| ·拉曼光谱法的基本原理 | 第11-12页 |
| ·拉曼光谱与应力/应变的关系 | 第12-14页 |
| ·拉曼光谱仪 | 第14-16页 |
| ·X 射线衍射技术与残余应力测试 | 第16-20页 |
| ·X 射线衍射的基本原理 | 第16-17页 |
| ·X 射线与应变/应力的关系 | 第17-20页 |
| ·X 射线衍射设备 | 第20页 |
| ·中子射线检测技术 | 第20-22页 |
| ·中子射线检测的原理与设备 | 第21页 |
| ·中子射线检测的应用 | 第21-22页 |
| 第三章 残余应力测试实验与数据处理 | 第22-34页 |
| ·试件制备 | 第22-23页 |
| ·实验流程和设备参数设定 | 第23-25页 |
| ·微拉曼实验 | 第23-24页 |
| ·X 射线衍射实验 | 第24-25页 |
| ·实验数据处理的方法与软件 | 第25-34页 |
| ·Raman 谱线处理 | 第25-27页 |
| ·Raman 奇异曲线特殊处理 | 第27-29页 |
| ·拉曼计算的结果与应力的对应关系 | 第29-30页 |
| ·X 射线衍射谱线处理 | 第30-32页 |
| ·X 射线检测结果与对应应力的计算 | 第32-34页 |
| 第四章 MEMS 工艺残余应力分析 | 第34-53页 |
| ·MEMS 器件加工工艺与残余应力 | 第34-36页 |
| ·硅基体热氧化SiO_2 薄膜的残余应力分析 | 第36-45页 |
| ·实验结果 | 第37-39页 |
| ·实验结果分析 | 第39-45页 |
| ·Au/SiO_2 薄膜试件残余应力分析 | 第45-49页 |
| ·实验结果 | 第46-47页 |
| ·实验结果分析 | 第47-49页 |
| ·实验结果总结及进一步讨论 | 第49-53页 |
| ·双材料微悬臂梁基片中的工艺残余应力 | 第49-50页 |
| ·基于实验结果的进一步讨论 | 第50-52页 |
| ·关于本文工作需要进一步研究的问题 | 第52-53页 |
| 总结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-60页 |
| 附录 | 第60-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
