| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| §1-1 SiC 的历史 | 第9-10页 |
| §1-2 SiC 的品质因数 | 第10-11页 |
| §1-3 SiC 的性质 | 第11-15页 |
| 1-3-1 宽带隙 | 第11页 |
| 1-3-2 高击穿电场 | 第11-14页 |
| 1-3-3 高饱和漂移速度 | 第14页 |
| 1-3-4 高热导率 | 第14-15页 |
| 1-3-5 热氧化 | 第15页 |
| 1-3-6 其他性质 | 第15页 |
| §1-4 SiC 的结构 | 第15-17页 |
| 1-4-1 基本结构 | 第15-16页 |
| 1-4-2 多形体 | 第16-17页 |
| §1-5 SiC 中的杂质能级 | 第17-19页 |
| §1-6 论文的主要研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 p 型 SiC 中杂质激发态的影响 | 第20-42页 |
| §2-1 考虑到激发态的分布函数 | 第20-21页 |
| §2-2 激发态对杂质电离的影响 | 第21-26页 |
| 2-2-1 电离度及其相对增加量 | 第21-22页 |
| 2-2-2 激发态对杂质电离的影响 | 第22-26页 |
| §2-3 引入激发态因素的SiC 基n-MOSFET 的反型层电荷模型 | 第26-35页 |
| 2-3-1 泊松方程及表面电荷 | 第27-28页 |
| 2-3-2 反型层电荷模型 | 第28-35页 |
| 2-3-3 最大温度点与掺杂浓度和杂质能级深度的关系 | 第35页 |
| §2-4 激发态对SiC 基MOS 电容的影响 | 第35-41页 |
| 2-4-1 理论背景 | 第35-36页 |
| 2-4-2 结果和讨论 | 第36-41页 |
| §2-5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 n 型 SiC 中基态施主能级分裂的影响 | 第42-69页 |
| §3-1 适用于基态施主能级分裂的电子分布函数 | 第42-52页 |
| 3-1-1 分布函数的理论考虑 | 第42-47页 |
| 3-1-2 讨论 | 第47-50页 |
| 3-1-3 理论分析 | 第50-52页 |
| §3-2 基态施主能级分裂对杂质电离的影响 | 第52-56页 |
| 3-2-1 能级分裂的影响与温度和掺杂浓度关系 | 第53-55页 |
| 3-2-2 能级分裂的影响与杂质能级深度的关系 | 第55-56页 |
| §3-3 引入基态施主能级分裂因素的 SiC 基p-MOSFET 的反型层电荷模型 | 第56-63页 |
| 3-3-1 泊松方程及表面电荷 | 第57-58页 |
| 3-3-2 反型层电荷模型 | 第58-63页 |
| §3-4 基态施主能级分裂对 MOS 电容的影响 | 第63-67页 |
| 3-4-1 能级分裂的影响与栅电压、掺杂浓度和温度的关系 | 第63-66页 |
| 3-4-2 能级分裂的影响与杂质能级深度的关系 | 第66-67页 |
| §3-5 本章小结 | 第67-69页 |
| 第四章 用于电路模拟的 SiC 基 MOSFET 高温沟道电子迁移率模型 | 第69-76页 |
| §4-1 迁移率模型 | 第69-72页 |
| 4-1-1 体迁移率 | 第69-70页 |
| 4-1-2 库仑迁移率 | 第70-71页 |
| 4-1-3 表面粗糙散射 | 第71页 |
| 4-1-4 表面声子散射 | 第71-72页 |
| 4-1-5 高场迁移率 | 第72页 |
| §4-2 界面陷阱电荷 | 第72-74页 |
| 4-2-1 界面态模型 | 第72-73页 |
| 4-2-2 界面态参数和固定氧化物电荷的提取方法 | 第73-74页 |
| §4-3 模拟和分析 | 第74-75页 |
| 4-3-1 提取界面态参数和固定氧化物电荷 | 第74页 |
| 4-3-2 迁移率模型参数提取及模型验证 | 第74-75页 |
| §4-4 本章小结 | 第75-76页 |
| 第五章 SiC 基 MOSFET 表面势的显性表达式 | 第76-96页 |
| §5-1 表面势的隐性表达式 | 第76-78页 |
| 5-1-1 表面电荷计算 | 第76-77页 |
| 5-1-2 界面陷阱电荷计算 | 第77-78页 |
| 5-1-3 计算表面势 | 第78页 |
| §5-2 表面势的显性表达式 | 第78-86页 |
| 5-2-1 表面电场计算 | 第78-79页 |
| 5-2-2 计算表面势 | 第79-86页 |
| §5-3 表面势显性表达式的修正 | 第86-95页 |
| 5-3-1 初步修正 | 第86-89页 |
| 5-3-2 进一步修正 | 第89-95页 |
| §5-4 本章小结 | 第95-96页 |
| 第六章 结论 | 第96-97页 |
| 参考文献 | 第97-105页 |
| 致谢 | 第105-106页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第106页 |
