摘要 | 第1-8页 |
Abstract | 第8-15页 |
第1章 绪论 | 第15-19页 |
·课题背景 | 第15页 |
·本课题的研究思路及其内容 | 第15-17页 |
参考文献 | 第17-19页 |
第2章 文献综述 | 第19-48页 |
·TiO_2薄膜光催化和亲水性研究背景 | 第19-20页 |
·光催化和亲水性的机理 | 第20-23页 |
·光催化和亲水性能的影响因素 | 第23-27页 |
·光催化性能的影响因素 | 第24-25页 |
·亲水性的影响因素 | 第25-27页 |
·复合和掺杂对TiO_2光催化性能的改进 | 第27-32页 |
·贵金属的掺杂(Pt、Ag、Rh) | 第27-29页 |
·复合半导体 | 第29页 |
·过渡金属掺杂 | 第29-31页 |
·非金属掺杂(N、C、S、F) | 第31-32页 |
·TiO_2薄膜的制备技术 | 第32-40页 |
·溶胶—凝胶法(Sol—gel) | 第32-33页 |
·物理气相沉积(physical vapour deposition) | 第33页 |
·化学气相沉积(chemical vapour deposition) | 第33-40页 |
参考文献 | 第40-48页 |
第3章 试验方法与设备 | 第48-60页 |
·引言 | 第48页 |
·原料体系的确定 | 第48-50页 |
·实验设备 | 第50-53页 |
·常压化学气相沉积(APCVD)系统 | 第50-51页 |
·介质阻挡放电化学气相沉积(DBD-CVD)系统 | 第51-53页 |
·试样制备过程 | 第53-54页 |
·基板预处理 | 第53页 |
·TiCl_4以及TTIP的灌制和封装 | 第53-54页 |
·实验流程 | 第54页 |
·样品测试分析方法 | 第54-59页 |
·X光电子能谱(XPS) | 第54-55页 |
·透射电子显微镜(TEM) | 第55页 |
·X射线衍射(XRD) | 第55页 |
·激光Raman谱 | 第55页 |
·傅立叶变换红外光谱分析(FTIR) | 第55页 |
·扫描电镜(SEM) | 第55-56页 |
·台阶仪 | 第56页 |
·光学性能 | 第56页 |
·光催化性能 | 第56-57页 |
·亲水性能 | 第57-59页 |
·方块电阻仪 | 第59页 |
参考文献 | 第59-60页 |
第4章 常压化学气相沉积法(APCVD)掺氮二氧化钛薄膜的制备及其结构与性能研究 | 第60-80页 |
·引言 | 第60页 |
·以NH_3为先驱体制备掺N二氧化钛薄膜 | 第60-70页 |
·掺N二氧化钛薄膜的制备 | 第60-61页 |
·掺N对薄膜微观结构的影响 | 第61-66页 |
·掺N对薄膜光催化性及其光诱导亲水性的影响 | 第66-69页 |
·小结 | 第69-70页 |
·以N_2O为先驱体制备掺N二氧化钛薄膜 | 第70-77页 |
·掺N TiO_2薄膜样品的制备 | 第70页 |
·掺N对TiO_2薄膜样品晶型的影响 | 第70-72页 |
·掺N对TiO_2薄膜表面微观结构的影响 | 第72-73页 |
·掺N对TiO_2薄膜光催化性和亲水性的影响 | 第73-76页 |
·小结 | 第76-77页 |
·不同掺N源(N_2O、NH_3)对TiO_2薄膜结构及其性能的影响的比较 | 第77-78页 |
参考文献 | 第78-80页 |
第5章 DBD-CVD法二氧化钛薄膜的制备及其结构与性能研究 | 第80-99页 |
·引言 | 第80页 |
·衬底温度对TiO_2薄膜结构、表面形貌及其性能的影响 | 第80-87页 |
·温度对沉积速度的影响 | 第80-81页 |
·温度对晶相的影响 | 第81-82页 |
·温度对表面形貌的影响 | 第82-83页 |
·温度对薄膜光学性质的影响 | 第83-84页 |
·温度对薄膜光催化性质的影响 | 第84-85页 |
·温度对薄膜亲水性的影响 | 第85-86页 |
·小结 | 第86-87页 |
·电源电压对TiO_2薄膜结构、表面形貌及其性能的影响 | 第87-92页 |
·电源电压对TiO_2薄膜沉积速度的影响 | 第87-88页 |
·电源电压对薄膜晶相的影响 | 第88页 |
·电源电压对薄膜表面形貌的影响 | 第88-89页 |
·电源电压对薄膜光学性能的影响 | 第89-90页 |
·电源电压对薄膜光催化性能的影响 | 第90-91页 |
·电源电压对薄膜亲水性能的影响 | 第91页 |
·小结 | 第91-92页 |
·气压对TiO_2薄膜微观结构和性能的影响 | 第92-97页 |
·样品制备条件 | 第92页 |
·气压对薄膜结晶的影响 | 第92-93页 |
·气压对薄膜表面微观结构的影响及其机制研究 | 第93-95页 |
·放电气压对薄膜光学性质的影响 | 第95页 |
·电气压对薄膜光催化性的影响 | 第95-96页 |
·放电气压对薄膜光亲水性的影响 | 第96-97页 |
·小结 | 第97页 |
参考文献 | 第97-99页 |
第6章 DBD-CVD法掺氮二氧化钛的制备及其结构与性能研究 | 第99-114页 |
·引言 | 第99页 |
·以NH_3为先驱体制备掺N二氧化钛薄膜 | 第99-105页 |
·掺N二氧化钛薄膜的制备 | 第99页 |
·掺N对薄膜微观结构的影响 | 第99-101页 |
·掺N对TiO_2薄膜光学性质的影响 | 第101-103页 |
·掺N对TiO_2薄膜光催化性和亲水性的影响 | 第103-105页 |
·以N_2O为先驱体制备掺N二氧化钛薄膜 | 第105-110页 |
·掺N二氧化钛薄膜的制备 | 第105-106页 |
·掺N对薄膜微观结构的影响 | 第106-107页 |
·掺N对TiO_2薄膜光学性质的影响 | 第107-108页 |
·掺N对TiO_2薄膜光催化性和亲水性的影响 | 第108-110页 |
·不同方法制备掺N二氧化钛薄膜结构与性能的比较 | 第110-112页 |
·小结 | 第112-113页 |
参考文献 | 第113-114页 |
第7章 SnO_2:F/TiO_2复合薄膜体系制备及其结构与性能研究 | 第114-125页 |
·引言 | 第114页 |
·SnO_2:F/TiO_2复合薄膜体系的制备 | 第114页 |
·SnO_2:F/TiO_2复合薄膜体系的结构研究 | 第114-116页 |
·SnO_2:F/TiO_2复合薄膜体系的表面形貌研究 | 第116-118页 |
·SnO_2:F/TiO_2复合薄膜体系的光催化性能的研究 | 第118-119页 |
·SnO_2:F/TiO_2复合薄膜体系的光亲水性能的研究 | 第119页 |
·SnO_2:F/TiO_2复合薄膜体系的光学性能研究 | 第119-122页 |
·SnO_2:F/TiO_2复合薄膜体系电学机制研究 | 第122-123页 |
·小结 | 第123-124页 |
参考文献 | 第124-125页 |
第8章 DBD-CVD法α-Si:H薄膜和α-Si:H/TiO_2复合薄膜体系的制备及其结构与性能研究 | 第125-142页 |
·DBD-CVD氢化非晶硅薄膜的制备及其结构性能研究 | 第125-134页 |
·引言 | 第125页 |
·DBD-CVD法制备氢化非晶硅薄膜 | 第125页 |
·电源电压对薄膜沉积速率的影响 | 第125-127页 |
·电源电压对薄膜微观结构的影响 | 第127-129页 |
·电源电压对薄膜光学性能的影响 | 第129页 |
·硅烷氢气比对薄膜结构的影响 | 第129-130页 |
·硅烷氢气比对薄膜光学性能的影响 | 第130-131页 |
·DBD-CVD对非晶硅薄膜气相成核的影响 | 第131-132页 |
·DBD制备非晶硅薄膜机制的探讨 | 第132-133页 |
·小结 | 第133-134页 |
·a-Si:H/TiO_2复合薄膜体系的结构性能研究 | 第134-140页 |
·引言 | 第134页 |
·DBD-CVD法制备a-Si:H/TiO_2复合薄膜体系 | 第134页 |
·a-Si:H/TiO_2复合薄膜体系的结构研究 | 第134-137页 |
·a-Si:H/TiO_2复合薄膜体系的光学性能研究 | 第137页 |
·a-Si:H/TiO_2复合薄膜体系的光催化性能的研究 | 第137-138页 |
·a-Si:H/TiO_2复合薄膜体系的亲水性的研究 | 第138-139页 |
·小结 | 第139-140页 |
参考文献 | 第140-142页 |
第9章 TiO_2薄膜光催化影响因素机制研究 | 第142-149页 |
·引言 | 第142页 |
·表面微观结构 | 第142-144页 |
·掺N | 第144-146页 |
·复合 | 第146-147页 |
·小结 | 第147-148页 |
参考文献 | 第148-149页 |
第10章 结论 | 第149-152页 |
1.本征TiO_2薄膜性能结构研究 | 第149页 |
2.掺氮TiO_2薄膜性能结构研究 | 第149-150页 |
3.体系薄膜性能结构研究 | 第150页 |
4.影响光催化性因素机制研究 | 第150-152页 |
攻读学位期间发表的学术论文 | 第152-153页 |
致谢 | 第153页 |