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硅片延性域磨削机理研究

摘要第1-6页
Abstract第6-11页
1 绪论第11-36页
   ·选题的科学依据第11-13页
     ·课题的提出第11-12页
     ·课题的来源第12-13页
   ·课题的研究目的与意义第13-14页
   ·纳米磨削技术在集成电路制造中的应用第14-25页
     ·纳米磨削技术在硅片制备中的应用第16-24页
   ① 半导体制造技术的发展趋势及对硅单晶抛光片的要求第16-19页
   ② 磨削技术在硅片制备过程中的应用第19-23页
   ③ 硅片制备技术的发展趋势第23-24页
     ·纳米磨削技术的硅片背面减薄中的应用第24-25页
   ·硅片纳米磨削技术的研究现状第25-35页
     ·硅片平整度的研究第26-27页
     ·磨削硅片亚表面损伤研究第27-28页
     ·纳米硅片磨床的研制第28-29页
     ·硅片的延性域磨削机理研究第29-35页
   ① 脆性——延性转变的力学原理第30-31页
   ② 硅片延性域磨削的材料去除机理第31-32页
   ③ 硅片延性域磨削的临界切削深度研究第32-35页
   ·本文的主要研究工作第35-36页
2 单晶硅的脆性——延性转变及临界切削深度研究第36-73页
   ·引言第36页
   ·单颗磨粒磨削实验方案的设计第36-61页
     ·现有单颗磨粒磨削方法的缺点第36-37页
     ·实验方案设计第37-42页
     ·实验条件第42页
     ·检测条件第42-45页
     ·实验结果第45-61页
   ·单晶硅超精密磨削过程中脆性——延性转变实验研究第61-65页
   ·磨粒的尖端形状对单晶硅脆性——延性转变的影响第65-66页
   ·单颗磨粒磨削的临界切削深度研究第66-67页
   ·晶体方向对临界切削深度的影响第67-68页
   ·硅片自旋转磨削的磨粒临界切削深度研究第68-71页
     ·实验方法第68页
     ·磨削条件与测量方法第68-69页
     ·实验结果及分析第69-71页
   ·本章小结第71-73页
3 硅片磨削过程中的磨粒切削深度研究第73-99页
   ·引言第73页
   ·硅片自旋转磨削的砂轮形貌测量与评价第73-83页
     ·砂轮磨粒粒径分布特点和砂轮表面形貌测量仪器的选择第74-76页
     ·砂轮形貌的频谱分析与数字滤波第76-77页
     ·细粒度金刚石砂轮形貌的测量第77-81页
     ·磨粒的识别第81-82页
     ·砂轮表面形貌的评价第82-83页
   ·硅片自旋转磨削的磨粒切削深度、未变形切屑宽高比和磨粒刃圆半径分析第83-89页
     ·磨削条件与测量方法第84页
     ·实验结果与分析第84-89页
   ·硅片自旋转磨削的磨粒切削深度模型第89-94页
     ·硅片自旋转磨削几何学分析第89-93页
     ·实验验证第93页
     ·硅片自旋转磨削磨粒切削深度的特点第93-94页
   ·硅片自旋转磨削临界磨削深度的研究第94-95页
   ·硅片延性域磨削对磨床的要求第95-98页
   ·本章小结第98-99页
4 延性域磨削实现的评定方法研究第99-112页
   ·常用延性域磨削评定方法第99页
   ·无损伤检测方法——基于扫描白光干涉原理的轮廓仪法第99-104页
   ·改进的角度抛光法第104-110页
     ·现有角度抛光法的缺点第104-105页
     ·改进的角度抛光方法原理第105-107页
     ·采用改进的角度抛光方法测量硅片亚表面损伤的主要步骤第107-108页
     ·实验验证第108-110页
   ·本章小结第110-112页
5 硅片纳米磨削表面完整性分析第112-124页
   ·引言第112页
   ·磨削条件与测量方法第112-113页
   ·硅片纳米磨削表面形貌特征第113-120页
     ·硅片纳米磨削表面的纹理方向第113-114页
     ·硅片纳米磨削后的表面粗糙度第114-115页
     ·硅片表面的纳米形貌第115-120页
   ·硅片纳米磨削表面、亚表面损伤分布特点第120-123页
   ·本章小结第123-124页
6 结论与展望第124-127页
   ·结论第124-125页
   ·展望第125-127页
参考文献第127-133页
攻读博士学位期间发表学术论文情况第133-134页
创新点摘要第134-135页
致谢第135-136页
大连理工大学学位论文版权使用授权书第136页

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