| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 第一章 综述 | 第11-31页 |
| 1．1 引言 | 第11-12页 |
| 1．2 ZnO的基本性质 | 第12-15页 |
| 1．2．1 ZnO的晶体结构 | 第12-14页 |
| 1．2．2 ZnO的光电性质 | 第14页 |
| 1．2．3 ZnO的紫外受激发射 | 第14-15页 |
| 1．3 ZnO的发展状况 | 第15-16页 |
| 1．4 ZnO衬底的选择 | 第16-17页 |
| 1．5 Si上ZnO的国内外研究进展 | 第17-18页 |
| 1．6 ZnO薄膜的不同制备方法 | 第18-25页 |
| 1．6．1 溅射法 | 第18-21页 |
| 1．6．2 反应热蒸发 | 第21-23页 |
| 1．6．3 脉冲激光沉积 | 第23-24页 |
| 1．6．4 金属有机化学气相沉积方法(MOCVD) | 第24页 |
| 1．6．5 分子束外延(MBE) | 第24-25页 |
| 1．7 本论文的主要内容及工作安排 | 第25-26页 |
| 参考文献 | 第26-31页 |
| 第二章 ZnO薄膜材料的MOCVD生长系统及其工艺 | 第31-38页 |
| 2．1 MOCVD简介 | 第31页 |
| 2．2 生长ZnO薄膜的MOCVD系统 | 第31-32页 |
| 2．3 ZnO生长所用的源 | 第32-34页 |
| 2．4 生长ZnO薄膜的衬底选择 | 第34页 |
| 2．5 ZnO薄膜的生长工艺 | 第34-35页 |
| 2．6 小结 | 第35-36页 |
| 参考文献 | 第36-38页 |
| 第三章 MOCVD方法在Si(111)衬底上生长ZnO薄膜的研究 | 第38-66页 |
| 3．1 引言 | 第38-39页 |
| 3．2 缓冲层厚度对Ti／Si模板上生长的ZnO薄膜的影响 | 第39-45页 |
| 3．2．1 实验 | 第39-40页 |
| 3．2．2 结果与讨论 | 第40-44页 |
| 3．2．3 小结 | 第44-45页 |
| 3．3 不同锌源—DEZn和DMZn—对生长ZnO薄膜的影响 | 第45-49页 |
| 3．3．1 引言 | 第45页 |
| 3．3．2 实验 | 第45-46页 |
| 3．3．3 结果与讨论 | 第46-49页 |
| 3．3．3 小结 | 第49页 |
| 3．4 DMZn为锌源时ZnO薄膜的生长——降低生长速率 | 第49-52页 |
| 3．4．1 实验 | 第49-50页 |
| 3．4．2 结果与讨论 | 第50-51页 |
| 3．4．3 小结 | 第51-52页 |
| 3．5 外延层中不同的DMZn流量对ZnO薄膜的影响 | 第52-57页 |
| 3．5．1 实验 | 第52页 |
| 3．5．2 结果与讨论 | 第52-55页 |
| 3．5．3 小结 | 第55-57页 |
| 3．6 低温ZnO缓冲层中不同的DMZn流量对ZnO薄膜的影响 | 第57-61页 |
| 3．6．1 实验 | 第57页 |
| 3．6．2 结果与讨论 | 第57-59页 |
| 3．6．3 小结 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 第四章 硅基GaN交通绿LED老化性能研究 | 第66-83页 |
| 4．1 加速老化测试分析 | 第66-67页 |
| 4．2 老化对发光二极管的电学和光学性能的影响 | 第67-72页 |
| 4．2．1 GaN／Si交通绿LED老化后放置不同时间后测试 | 第67-68页 |
| 4．2．2 老化对GaN／Si交通绿LED的电学和光学性能的影响 | 第68-72页 |
| 4．3 交通绿LED在70mA下老化的几个现象 | 第72-74页 |
| 4．4 交通绿LED在不同的电流下老化及其寿命计算 | 第74-80页 |
| 4．5 小结 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-83页 |
| 第五章 结论 | 第83-85页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第85-86页 |
| 致谢 | 第86页 |
