ITO薄膜的制备及性能研究
| 1 绪论 | 第1-20页 |
| ·透明导电膜的种类及特点 | 第6-11页 |
| ·In_2O_3薄膜的组织结构 | 第8页 |
| ·In_2O_3薄膜的光学性质 | 第8-9页 |
| ·ITO薄膜的电学性质 | 第9-11页 |
| ·电学及光学上的应用 | 第11-14页 |
| ·电致变色器件 | 第11-12页 |
| ·液晶显示 | 第12-13页 |
| ·太阳能电池 | 第13页 |
| ·除霜玻璃 | 第13页 |
| ·电磁屏蔽 | 第13-14页 |
| ·热辐射反射镜 | 第14页 |
| ·常用的制备工艺 | 第14-18页 |
| ·磁控溅射 | 第14-15页 |
| ·化学气相沉积 | 第15-16页 |
| ·真空反应蒸发 | 第16页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第16-17页 |
| ·微波ECR等离子体反应蒸发沉积 | 第17页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第17页 |
| ·喷射热分解 | 第17-18页 |
| ·研究与应用现状及存在问题 | 第18-20页 |
| 2 溅射镀膜原理 | 第20-34页 |
| ·溅射机理及特点 | 第21-23页 |
| ·溅射类型 | 第23-27页 |
| ·直流溅射 | 第23页 |
| ·射频溅射 | 第23-26页 |
| ·磁控溅射 | 第26-27页 |
| ·溅射特性 | 第27-31页 |
| ·溅射阈值 | 第27-28页 |
| ·溅射率 | 第28-30页 |
| ·溅射粒子的能量和速度 | 第30-31页 |
| ·溅射过程 | 第31-33页 |
| ·靶材的溅射 | 第31-32页 |
| ·溅射粒子的迁移过程 | 第32页 |
| ·溅射粒子的成膜过程 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 3 实验 | 第34-42页 |
| ·实验设备和过程 | 第34-36页 |
| ·薄膜性能和结构测试 | 第36-41页 |
| ·ITO薄膜紫外-可见光透过率测试 | 第36-37页 |
| ·ITO薄膜厚度的测试 | 第37-39页 |
| ·ITO薄膜方阻及电阻率的测试 | 第39-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 4 工艺参数对ITO薄膜的特性影响 | 第42-59页 |
| ·铟锡合金靶制备ITO薄膜 | 第42-46页 |
| ·基片温度对ITO薄膜导电性的影响 | 第42-43页 |
| ·氧偏压对室温沉积ITO薄膜导电性的影响 | 第43-44页 |
| ·ITO薄膜的XRD和SEM分析 | 第44-46页 |
| ·陶瓷靶制备ITO薄膜 | 第46-58页 |
| ·采用陶瓷靶直流磁控溅射制备ITO薄膜 | 第46-52页 |
| ·采用陶瓷靶射频磁控溅射制备ITO薄膜 | 第52-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 5 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 附录 | 第65-66页 |
