| 提要 | 第1-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-34页 |
| ·电光效应概述 | 第10-12页 |
| ·硅材料的等离子体色散效应及应用 | 第12-20页 |
| ·等离子体色散效应 | 第12-16页 |
| ·基于等离子体色散效应的硅电光调制器件 | 第16-20页 |
| ·硅材料中应力所致的线性电光效应 | 第20-23页 |
| ·场致线性电光效应研究的意义 | 第23-27页 |
| ·破坏材料对称性的方法 | 第24-25页 |
| ·研究场致线性电光效应的意义 | 第25-26页 |
| ·开展硅材料其他电光效应研究的必要性 | 第26-27页 |
| ·本论文的主要工作 | 第27-28页 |
| 参考文献 | 第28-34页 |
| 第二章 电光效应的基本理论 | 第34-57页 |
| ·光波在介质中传播的基本方程 | 第34-39页 |
| ·光波在晶体中传播特性的解析法描述 | 第34-37页 |
| ·光波在晶体中传播特性的几何法描述 | 第37-39页 |
| ·线性电光效应 | 第39-44页 |
| ·电光KERR 效应 | 第44-48页 |
| ·FRANZ-KELDYSH效应 | 第48-54页 |
| ·半导体材料在匀强电场作用下的吸收系数 | 第48-51页 |
| ·色散关系 | 第51-52页 |
| ·硅材料中场致折射率的改变 | 第52-54页 |
| ·小结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
| 第三章 硅材料直流电场作用下电致双折射的研究 | 第57-78页 |
| ·引言 | 第57-58页 |
| ·硅的晶体结构和性质 | 第58-60页 |
| ·[111]方向直流电场诱导电致双折射的基本理论 | 第60-67页 |
| ·硅材料克尔效应 | 第60-66页 |
| ·硅的Franz-Keldysh 效应 | 第66-67页 |
| ·电致双折射的测量 | 第67-76页 |
| ·塞纳蒙补偿器基本原理 | 第67-71页 |
| ·实验样品结构 | 第71-73页 |
| ·实验光路 | 第73-74页 |
| ·实验结果及讨论 | 第74-76页 |
| ·本章小结 | 第76页 |
| 参考文献 | 第76-78页 |
| 第四章 硅材料场致线性电光效应的研究 | 第78-113页 |
| ·硅材料中场致线性电光效应的基本理论 | 第79-82页 |
| ·等效二阶极化率张量 | 第82-92页 |
| ·等效二阶极化率张量定义 | 第82-84页 |
| ·直流电场沿[001]晶向时硅材料的对称性 | 第84-85页 |
| ·直流电场沿[0(1|_)1]晶向时硅材料的对称性 | 第85-88页 |
| ·直流电场沿[111]晶向时硅材料的对称性 | 第88-91页 |
| ·讨论 | 第91-92页 |
| ·电光张量的具体形式 | 第92-94页 |
| ·沿不同方向加电场硅材料场致线性电光效应的研究 | 第94-100页 |
| ·[001]方向电场诱导的场致线性电光效应 | 第94-97页 |
| ·[0(1|-)1]方向电场诱导的场致线性电光效应 | 第97-98页 |
| ·[111] 方向电场诱导的场致线性电光效应 | 第98-100页 |
| ·硅材料场致线性电光效应的实验研究 | 第100-105页 |
| ·样品结构 | 第100-102页 |
| ·实验光路及结果 | 第102-105页 |
| ·硅材料光整流现象的实验研究 | 第105-110页 |
| ·光整流的基本理论 | 第105-107页 |
| ·硅材料[111]方向电场诱导的光整流原理 | 第107-109页 |
| ·硅材料[111]方向电场诱导的光整流实验 | 第109-110页 |
| ·小结 | 第110-111页 |
| 参考文献 | 第111-113页 |
| 结论 | 第113-115页 |
| 致谢 | 第115-116页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文及其他成果 | 第116-118页 |
| 摘要 | 第118-121页 |
| ABSTRACT | 第121-124页 |