| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 1 绪论 | 第11-21页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·PhotOFETs的结构和工作原理 | 第12-16页 |
| ·传统结构PhotOFETs及其工作原理 | 第14-15页 |
| ·垂直构型PhotOFETs及其工作原理 | 第15-16页 |
| ·用于PhotOFETs的材料 | 第16-19页 |
| ·有机光敏半导体材料 | 第16-18页 |
| ·绝缘材料、电极材料和衬底材料 | 第18-19页 |
| ·电极材料和衬底材料 | 第19页 |
| ·有机光敏场效应晶体管存在的问题 | 第19-20页 |
| ·本论文的主要工作 | 第20-21页 |
| 2 Vertical PhotOFETs的制备与性能表征 | 第21-26页 |
| ·器件的制备 | 第21-23页 |
| ·ITO玻璃的清洗和处理 | 第21-22页 |
| ·硅片衬底的清洗和处理 | 第22页 |
| ·有机薄膜的制备 | 第22-23页 |
| ·无机薄膜的制备 | 第23页 |
| ·金属电极的制备 | 第23页 |
| ·器件的测试 | 第23-26页 |
| ·薄膜厚度的测量 | 第24页 |
| ·单层器件I-V特性的测量 | 第24页 |
| ·器件输出特性和转移特性的测量 | 第24-25页 |
| ·器件光敏性能的测试 | 第25-26页 |
| 3 基于MEH-PPV的Vertical PhotOFETS | 第26-39页 |
| ·引言 | 第26-27页 |
| ·MEH-PPV器件的基本理论 | 第27-28页 |
| ·器件性能的研究 | 第28-39页 |
| ·SiO_2为栅绝缘层的器件性能研究 | 第28-33页 |
| ·硅基光敏场效应晶体管 | 第33-39页 |
| 4 基于Pentacene的Vertical PhotOFETs | 第39-48页 |
| ·引言 | 第39-40页 |
| ·Pentacene器件的基本理论 | 第40-41页 |
| ·器件性能的研究 | 第41-48页 |
| ·以SiO_2为栅绝缘层的器件性能 | 第41-43页 |
| ·以LiF为栅绝缘层的器件性能的研究 | 第43-46页 |
| ·硅基器件的研究 | 第46-48页 |
| 5 结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 作者简历 | 第53-55页 |
| 学位论文数据集 | 第55页 |
