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硅/二氧化硅表面自组装单分子膜的性质、制备及应用研究

摘要第1-7页
Abstract第7-14页
第一章 绪论第14-43页
   ·引言第14-15页
   ·自组装单分子膜(SAMs)简介第15-22页
     ·SAMs的历史第15页
     ·SAMs的组成第15-16页
     ·SAMs的类型第16-19页
     ·SAMs的应用第19-22页
   ·集成电路(IC)简介第22-28页
     ·集成电路的发展历程第22-23页
     ·集成电路发展面临的挑战第23-24页
     ·金属及复合物做扩散阻挡层第24-26页
     ·有机硅烷类SAMs做扩散阻挡层第26-28页
   ·有机硅烷类SAMs的制备和修饰第28-32页
     ·SAMs的制备第28-30页
     ·SAMs的修饰第30-32页
   ·本论文的工作第32-33页
 参考文献第33-43页
第二章 CN-和COOH-SAMs的分子动力学模拟第43-76页
   ·引言第43-45页
   ·理论部分第45-52页
     ·分子动力学模拟(MD)简介第45页
     ·基本原理第45-47页
     ·分子力场第47-48页
     ·运动方程求解第48-49页
     ·周期性边界条件第49-50页
     ·统计系综第50-51页
     ·恒温恒压的实现第51-52页
   ·实验部分第52-57页
     ·实验模型第52-54页
     ·模拟细节第54-57页
   ·结果与讨论第57-70页
     ·模拟体系的平衡第57-59页
     ·SAMs层的厚度第59-61页
     ·SAMs的堆积形貌第61-63页
     ·SAMs的表面形貌第63-70页
   ·本章小结第70-71页
 参考文献第71-76页
第三章 短链CN-和COOH-SAMs的制备与表征第76-95页
   ·引言第76-77页
   ·实验部分第77-82页
     ·实验准备第77-79页
     ·实验步骤第79-82页
   ·结果与讨论第82-92页
     ·SAMs的表面结构第82-85页
     ·SAMs的成份分析第85-87页
     ·SAMs的微观结构第87-89页
     ·SAMs的表面形貌第89-92页
   ·本章小结第92-93页
 参考文献第93-95页
第四章 SAMs作为铜的扩散阻挡层的化学气相沉积研究第95-128页
   ·引言第95-97页
   ·理论部分第97-103页
     ·化学气相沉积原理及步骤第97-98页
     ·化学气相沉积优点第98-99页
     ·化学气相沉积分类第99-100页
     ·化学气相沉积铜薄膜的前驱物第100-103页
   ·实验部分第103-109页
     ·实验准备第103-107页
     ·实验步骤第107-109页
   ·结果与讨论第109-122页
     ·SAMs的制备第109页
     ·SAMs上沉积铜膜的表面形貌第109-115页
     ·铜膜的生长行为第115-117页
     ·铜膜的成份分析第117-120页
     ·铜膜的晶相结构分析第120-122页
   ·本章小结第122-123页
 参考文献第123-128页
第五章 SAMs改性前后SiO_2基材上沉积铜膜的比较第128-146页
   ·引言第128-129页
   ·理论部分第129-133页
     ·密度泛函理论(DFT)第129-131页
     ·基组及选择规则第131-133页
   ·实验部分第133-134页
     ·实验准备第133-134页
     ·实验步骤第134页
   ·理论计算部分第134-135页
     ·研究对象第134-135页
     ·计算方法第135页
   ·结果与讨论第135-141页
     ·铜膜的表面形貌第135-137页
     ·铜膜与表面的相互作用第137-138页
     ·铜膜与表面的相互作用能第138-140页
     ·铜膜与表面的作用位点第140-141页
   ·本章小结第141-143页
 参考文献第143-146页
第六章 总结与展望第146-149页
博士期间发表论文第149-150页
致谢第150页

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