摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-14页 |
第一章 绪论 | 第14-43页 |
·引言 | 第14-15页 |
·自组装单分子膜(SAMs)简介 | 第15-22页 |
·SAMs的历史 | 第15页 |
·SAMs的组成 | 第15-16页 |
·SAMs的类型 | 第16-19页 |
·SAMs的应用 | 第19-22页 |
·集成电路(IC)简介 | 第22-28页 |
·集成电路的发展历程 | 第22-23页 |
·集成电路发展面临的挑战 | 第23-24页 |
·金属及复合物做扩散阻挡层 | 第24-26页 |
·有机硅烷类SAMs做扩散阻挡层 | 第26-28页 |
·有机硅烷类SAMs的制备和修饰 | 第28-32页 |
·SAMs的制备 | 第28-30页 |
·SAMs的修饰 | 第30-32页 |
·本论文的工作 | 第32-33页 |
参考文献 | 第33-43页 |
第二章 CN-和COOH-SAMs的分子动力学模拟 | 第43-76页 |
·引言 | 第43-45页 |
·理论部分 | 第45-52页 |
·分子动力学模拟(MD)简介 | 第45页 |
·基本原理 | 第45-47页 |
·分子力场 | 第47-48页 |
·运动方程求解 | 第48-49页 |
·周期性边界条件 | 第49-50页 |
·统计系综 | 第50-51页 |
·恒温恒压的实现 | 第51-52页 |
·实验部分 | 第52-57页 |
·实验模型 | 第52-54页 |
·模拟细节 | 第54-57页 |
·结果与讨论 | 第57-70页 |
·模拟体系的平衡 | 第57-59页 |
·SAMs层的厚度 | 第59-61页 |
·SAMs的堆积形貌 | 第61-63页 |
·SAMs的表面形貌 | 第63-70页 |
·本章小结 | 第70-71页 |
参考文献 | 第71-76页 |
第三章 短链CN-和COOH-SAMs的制备与表征 | 第76-95页 |
·引言 | 第76-77页 |
·实验部分 | 第77-82页 |
·实验准备 | 第77-79页 |
·实验步骤 | 第79-82页 |
·结果与讨论 | 第82-92页 |
·SAMs的表面结构 | 第82-85页 |
·SAMs的成份分析 | 第85-87页 |
·SAMs的微观结构 | 第87-89页 |
·SAMs的表面形貌 | 第89-92页 |
·本章小结 | 第92-93页 |
参考文献 | 第93-95页 |
第四章 SAMs作为铜的扩散阻挡层的化学气相沉积研究 | 第95-128页 |
·引言 | 第95-97页 |
·理论部分 | 第97-103页 |
·化学气相沉积原理及步骤 | 第97-98页 |
·化学气相沉积优点 | 第98-99页 |
·化学气相沉积分类 | 第99-100页 |
·化学气相沉积铜薄膜的前驱物 | 第100-103页 |
·实验部分 | 第103-109页 |
·实验准备 | 第103-107页 |
·实验步骤 | 第107-109页 |
·结果与讨论 | 第109-122页 |
·SAMs的制备 | 第109页 |
·SAMs上沉积铜膜的表面形貌 | 第109-115页 |
·铜膜的生长行为 | 第115-117页 |
·铜膜的成份分析 | 第117-120页 |
·铜膜的晶相结构分析 | 第120-122页 |
·本章小结 | 第122-123页 |
参考文献 | 第123-128页 |
第五章 SAMs改性前后SiO_2基材上沉积铜膜的比较 | 第128-146页 |
·引言 | 第128-129页 |
·理论部分 | 第129-133页 |
·密度泛函理论(DFT) | 第129-131页 |
·基组及选择规则 | 第131-133页 |
·实验部分 | 第133-134页 |
·实验准备 | 第133-134页 |
·实验步骤 | 第134页 |
·理论计算部分 | 第134-135页 |
·研究对象 | 第134-135页 |
·计算方法 | 第135页 |
·结果与讨论 | 第135-141页 |
·铜膜的表面形貌 | 第135-137页 |
·铜膜与表面的相互作用 | 第137-138页 |
·铜膜与表面的相互作用能 | 第138-140页 |
·铜膜与表面的作用位点 | 第140-141页 |
·本章小结 | 第141-143页 |
参考文献 | 第143-146页 |
第六章 总结与展望 | 第146-149页 |
博士期间发表论文 | 第149-150页 |
致谢 | 第150页 |