| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| ·微波介质材料研究背景 | 第10-11页 |
| ·微波介质材料的选择标准 | 第11-13页 |
| ·介电材料简介 | 第13-15页 |
| ·钙钛矿结构介电材料 | 第15-16页 |
| ·BaTiO_3基介电材料 | 第16-17页 |
| ·Ba(Zr,Ti)O_3薄膜研究现状 | 第17-21页 |
| ·BZT薄膜的掺杂改性 | 第17-19页 |
| ·基片的选择 | 第19-20页 |
| ·引入过渡层 | 第20页 |
| ·BZT多层薄膜 | 第20-21页 |
| ·论文选题及研究方案 | 第21-22页 |
| 第二章 薄膜制备及性能表征 | 第22-33页 |
| ·BZT薄膜的制备方法 | 第22-23页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD)以及系统简介 | 第23-26页 |
| ·PLD制膜原理 | 第24-25页 |
| ·PLD设备系统简介 | 第25页 |
| ·PLD用陶瓷靶材的制备 | 第25-26页 |
| ·薄膜微结构的表征 | 第26-30页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第26-27页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第27-29页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第29-30页 |
| ·薄膜电学性能的测试方法 | 第30-33页 |
| ·电容器结构的选择 | 第30-31页 |
| ·薄膜介电性能的测量 | 第31-32页 |
| ·薄膜绝缘性能的测试 | 第32-33页 |
| 第三章 Pt/Ti/SiO_2/Si基片上生长BZT-xHo薄膜 | 第33-45页 |
| ·Ho掺杂的BZT陶瓷靶材的制备 | 第33-34页 |
| ·BZT-xHo系列薄膜的制备 | 第34-35页 |
| ·BZT-xHo薄膜的微结构表征 | 第35-38页 |
| ·BZT-xHo薄膜的介电性能 | 第38-41页 |
| ·BZT-xHo薄膜的绝缘性能 | 第41-42页 |
| ·BZT-xHo薄膜的XPS分析 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 单晶氧化物基片上生长BZT-xHo薄膜 | 第45-58页 |
| ·LAO基片上生长BZT-xHo薄膜 | 第46-50页 |
| ·BZT-xHo薄膜的微结构表征 | 第46-48页 |
| ·BZT-xHo薄膜的介电性能 | 第48-50页 |
| ·BZT-xHo薄膜的绝缘性能 | 第50页 |
| ·MgO基片上生长BZT-xHo薄膜 | 第50-55页 |
| ·BZT-xHo薄膜的微结构表征 | 第50-53页 |
| ·BZT-xHo薄膜的介电性能 | 第53-54页 |
| ·BZT-xHo薄膜的绝缘性能 | 第54-55页 |
| ·不同衬底上BZT-xHo薄膜的介电性能的比较 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 BZT-3Ho/BST双层薄膜的研究 | 第58-66页 |
| ·BZT-3Ho/BST薄膜的制备 | 第58-59页 |
| ·BZT-3Ho/BST薄膜的微结构表征 | 第59-61页 |
| ·BZT-3Ho/BST薄膜的介电性能 | 第61-63页 |
| ·BZT-3Ho/BST薄膜的绝缘性能 | 第63-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第六章 结论 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第74-75页 |