摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第12-33页 |
1.1 强关联电子学的物理背景 | 第12-13页 |
1.2 凝聚态物理中的金属绝缘体转变 | 第13-14页 |
1.3 金属绝缘体转变的物理机制 | 第14-15页 |
1.3.1 Wilson转变 | 第14页 |
1.3.2 Mott转变 | 第14页 |
1.3.3 Peierls转变 | 第14-15页 |
1.3.4 Anderson转变 | 第15页 |
1.4 稀土钙钛矿镍酸盐ReNi03 | 第15-25页 |
1.4.1 ReNiO_3的结构特点与物理特性 | 第15-17页 |
1.4.2 ReNiO_3中的金属绝缘体转变 | 第17-20页 |
1.4.3 NdNiO_3的研究背景 | 第20-25页 |
1.5 本论文的研究内容及方法 | 第25-27页 |
参考文献 | 第27-33页 |
第二章 外延薄膜的微观结构表征 | 第33-59页 |
2.1 外延薄膜结构的X射线表征技术 | 第33-40页 |
2.1.1 X射线衍射原理 | 第33-36页 |
2.1.2 同步辐射X射线表面衍射技术 | 第36-40页 |
2.2 钙钛矿氧化物中的八面体旋转及其定量拟合方法 | 第40-56页 |
2.2.1 八面体旋转的经典分类-Glaz notation | 第42-45页 |
2.2.2 常见的八面体旋转定量表征方法 | 第45-50页 |
2.2.3 X射线衍射半指数峰强度拟合八面旋转角度方法 | 第50-56页 |
2.3 本章小结 | 第56-57页 |
参考文献 | 第57-59页 |
第三章 NiO_6八面体旋转梯度变化与NNO物性关联研究 | 第59-76页 |
3.1 NNO超薄膜中的结构与MIT关联 | 第59-60页 |
3.2 超薄NNO外延薄膜的制备、电学测试与结构表征 | 第60-64页 |
3.2.1 NdNiO_3薄膜制备 | 第60-61页 |
3.2.2 超薄NNO薄膜的电输运测试 | 第61-62页 |
3.2.3 超薄NNO薄膜的结构表征 | 第62-64页 |
3.3 NNO八面体旋转模式的实验判断 | 第64-66页 |
3.4 超薄NNO薄膜中原子位置的定量拟合 | 第66-72页 |
3.4.1 NNO半指数峰强度分布的模拟 | 第66-69页 |
3.4.2 优化后的八面体旋转半指数峰强度拟合 | 第69-72页 |
3.5 拟合结果分析与讨论 | 第72-73页 |
3.6 本章小结 | 第73-74页 |
参考文献 | 第74-76页 |
第四章 同步辐射定量表征SrRuO_3、La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3薄膜中的八面体旋转 | 第76-89页 |
4.1 界面八面体旋转调控SrRuO_3外延薄膜的结构与物性 | 第76-81页 |
4.1.1 背景与研究动机 | 第76页 |
4.1.2 项目设计与实验表征 | 第76-79页 |
4.1.3 拟合结果与讨论 | 第79-81页 |
4.2 PbZr_(0.52)Ti_(0.48)O_3/La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3薄膜异质结中厚度控制的微观结构变化 | 第81-86页 |
4.2.1 背景与研究动机 | 第81页 |
4.2.2 项目设计与实验表征 | 第81-84页 |
4.2.3 LSMO薄膜拟合结果与讨论 | 第84-86页 |
4.3 本章小结 | 第86-87页 |
参考文献 | 第87-89页 |
第五章 钙钛矿氧化物外延薄膜的离子调控与同步辐射表征 | 第89-108页 |
5.1 NNO/NGO (110)外延薄膜的离子液体调控与原位表征 | 第89-98页 |
5.1.1 ILG调控的背景介绍 | 第89-90页 |
5.1.2 NNO外延薄膜离子液体调控的实验表征 | 第90-94页 |
5.1.3 离子液体调控效果与讨论 | 第94-97页 |
5.1.4 ILG调控NNO外延薄膜小结 | 第97-98页 |
5.2 高通量X光驱动SrCoO_(2.5)薄膜相转变 | 第98-104页 |
5.2.1 XRIM原位观测高通量X射线诱导SCO相转变 | 第99-101页 |
5.2.2 Nano-XRD原位研究X射线诱导SCO相转变动态过程 | 第101-104页 |
5.2.3 高通量X光驱动SCO相转变小结 | 第104页 |
5.3 本章小结 | 第104-105页 |
参考文献 | 第105-108页 |
第六章 总结和展望 | 第108-110页 |
6.1 论文总结 | 第108-109页 |
6.2 机遇与展望 | 第109-110页 |
在读期间发表的学术论文和参与的学术活动 | 第110-114页 |
致谢 | 第114-115页 |