| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第14-40页 |
| 1.1 前言 | 第14-15页 |
| 1.2 AlN材料的基本结构与性质 | 第15-18页 |
| 1.3 AlN基材料制备方法及研究进展 | 第18-36页 |
| 1.3.1 AlN材料外延生长方法 | 第18-21页 |
| 1.3.2 AlN材料的研究进展 | 第21-32页 |
| 1.3.3 位错缺陷对AlN基材料及器件影响 | 第32-36页 |
| 1.4 AlN基材料外延生长基本问题 | 第36-37页 |
| 1.5 本论文主要研究内容 | 第37-40页 |
| 第2章 MOCVD生长技术及材料表征方法 | 第40-50页 |
| 2.1 引言 | 第40页 |
| 2.2 MOCVD设备及反应原理介绍 | 第40-43页 |
| 2.2.1 MOCVD系统简介 | 第40-42页 |
| 2.2.2 MOCVD外延生长AlN基材料原理及反应过程 | 第42-43页 |
| 2.3 AlN基材料表征方法 | 第43-49页 |
| 2.3.1 X射线衍射技术 | 第43-44页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜 | 第44-45页 |
| 2.3.3 拉曼光谱 | 第45-46页 |
| 2.3.4 原子力显微镜 | 第46-47页 |
| 2.3.5 透射电子显微镜 | 第47-48页 |
| 2.3.6 椭圆偏振仪 | 第48-49页 |
| 2.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 第3章 表界面调控对AlN位错缺陷影响研究 | 第50-68页 |
| 3.1 引言 | 第50页 |
| 3.2 中温插入层法对AlN位错影响研究 | 第50-57页 |
| 3.2.1 基于中温插入层法AlN的 MOCVD外延生长 | 第50-51页 |
| 3.2.2 AlN缺陷表征及缺陷演变机理 | 第51-57页 |
| 3.3 PVD-AlN/Sapphire复合衬底对AlN位错缺陷影响研究 | 第57-65页 |
| 3.3.1 PVD-AlN/Sapphire复合衬底制备 | 第57-58页 |
| 3.3.2 PVD-AlN对 AlN外延层缺陷影响及机理 | 第58-65页 |
| 3.4 本章小结 | 第65-68页 |
| 第4章 高温热处理AlN中缺陷演变及其机理研究 | 第68-90页 |
| 4.1 引言 | 第68页 |
| 4.2 高温热处理AlN中缺陷演变研究 | 第68-81页 |
| 4.2.1 高温热处理AlN/PVD-AlN/Sapphire样品 | 第68-71页 |
| 4.2.2 高温热处理降低AlN缺陷密度机理 | 第71-78页 |
| 4.2.3 高温热处理AlN/Sapphire缺陷演变及机理 | 第78-81页 |
| 4.3 盖片对高温热处理AlN物性的影响 | 第81-88页 |
| 4.4 本章小结 | 第88-90页 |
| 第5章 AlN材料中位错缺陷对折射率影响研究 | 第90-100页 |
| 5.1 引言 | 第90页 |
| 5.2 不同位错密度AlN材料制备 | 第90-93页 |
| 5.3 AlN材料位错密度对折射率的影响 | 第93-96页 |
| 5.4 位错对AlN材料折射率影响机理 | 第96-99页 |
| 5.5 本章小结 | 第99-100页 |
| 第6章 结论与展望 | 第100-104页 |
| 6.1 结论 | 第100-101页 |
| 6.2 展望 | 第101-104页 |
| 参考文献 | 第104-118页 |
| 附录 | 第118-122页 |
| 致谢 | 第122-124页 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第124-125页 |
