| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第17-43页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第17-19页 |
| 1.2 AlGaN材料结构特性及参数 | 第19-21页 |
| 1.3 AlGaN材料生长研究进展 | 第21-38页 |
| 1.3.1 AlGaN外延衬底选择 | 第22-24页 |
| 1.3.2 AlN衬底研究进展 | 第24-26页 |
| 1.3.3 AlN模板及AlGaN材料研究进展 | 第26-33页 |
| 1.3.4 AlGaN材料掺杂研究进展 | 第33-38页 |
| 1.4 AlGaN基日盲紫外探测器研究进展 | 第38-41页 |
| 1.5 本论文主要研究工作 | 第41-43页 |
| 第2章 AlGaN材料及探测器制备与表征方法 | 第43-61页 |
| 2.1 前言 | 第43页 |
| 2.2 AlGaN材料生长系统 | 第43-46页 |
| 2.2.1 氢化物气相外延(VHPE) | 第44页 |
| 2.2.2 金属有机化学气相沉积(MOCVD) | 第44-46页 |
| 2.3 AlGaN材料表征方法 | 第46-57页 |
| 2.3.1 X射线衍射(XRD) | 第46-50页 |
| 2.3.2 原子力显微镜(AFM) | 第50-51页 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第51-52页 |
| 2.3.4 透射电子显微镜(TEM) | 第52-53页 |
| 2.3.5 拉曼光谱(Raman)和光致发光谱(PL) | 第53-55页 |
| 2.3.6 Hall测试系统 | 第55-57页 |
| 2.4 AlGaN基探测器制备方法 | 第57-59页 |
| 2.4.1 光刻工艺 | 第57页 |
| 2.4.2 电子束蒸发 | 第57页 |
| 2.4.3 等离子体增强化学气相沉积(PECVD) | 第57-58页 |
| 2.4.4 反应离子刻蚀(RIE) | 第58页 |
| 2.4.5 电感耦合等离子体刻蚀(ICP) | 第58-59页 |
| 2.5 AlGaN基探测器性能表征设备 | 第59页 |
| 2.5.1 IV测试系统 | 第59页 |
| 2.5.2 光谱响应测试系统 | 第59页 |
| 2.6 本章小结 | 第59-61页 |
| 第3章 AlN材料类同质外延生长研究 | 第61-83页 |
| 3.1 前言 | 第61-62页 |
| 3.2 AlN材料中的缺陷研究 | 第62-68页 |
| 3.2.1 AlN材料中的位错缺陷 | 第62-66页 |
| 3.2.2 斜切衬底的bunching效应 | 第66-68页 |
| 3.3 MOCVD中 AlN类同质外延生长 | 第68-75页 |
| 3.3.1 AlN外延层的MOCVD生长 | 第68-69页 |
| 3.3.2 AlN外延层表面形貌的演变 | 第69-70页 |
| 3.3.3 AlN外延层位错的演变规律 | 第70-75页 |
| 3.4 AlN类同质外延缺陷演变驱动力研究 | 第75-81页 |
| 3.4.1 低温层改变缺陷行为 | 第75-77页 |
| 3.4.2 位错演变驱动力分析 | 第77-81页 |
| 3.5 本章小结 | 第81-83页 |
| 第4章 AlGaN材料类同质外延生长研究 | 第83-109页 |
| 4.1 前言 | 第83-84页 |
| 4.2 类同质外延AlGaN材料特性研究 | 第84-95页 |
| 4.2.1 AlGaN材料的MOCVD生长 | 第85页 |
| 4.2.2 AlGaN材料应力与表面形貌特性 | 第85-88页 |
| 4.2.3 AlGaN材料组分非均匀性 | 第88-93页 |
| 4.2.4 AlGaN材料激子特性 | 第93-95页 |
| 4.3 金属化预处理对AlGaN材料特性影响研究 | 第95-106页 |
| 4.3.1 金属化预处理AlGaN材料的生长 | 第95-96页 |
| 4.3.2 金属化预处理AlGaN材料应力及表面形貌演变 | 第96-98页 |
| 4.3.3 金属化预处理AlGaN材料组分均匀性分析 | 第98-99页 |
| 4.3.4 金属化预处理AlGaN材料激子特性 | 第99-100页 |
| 4.3.5 金属阳离子空位相关光发射峰抑制 | 第100-104页 |
| 4.3.6 AlGaN中位错对激子的束缚作用 | 第104-106页 |
| 4.4 本章小结 | 第106-109页 |
| 第5章 极化增强AlGaN基日盲紫外探测器研究 | 第109-123页 |
| 5.1 前言 | 第109-110页 |
| 5.2 极化增强AlGaN基日盲紫外探测器模拟 | 第110-114页 |
| 5.3 极化增强AlGaN基日盲紫外探测器研制 | 第114-121页 |
| 5.3.1 探测器材料生长与表征 | 第114-117页 |
| 5.3.2 探测器器件制备与表征 | 第117-118页 |
| 5.3.3 探测器性能测试与分析 | 第118-121页 |
| 5.4 本章小结 | 第121-123页 |
| 第6章 总结与展望 | 第123-127页 |
| 6.1 论文总结 | 第123-124页 |
| 6.2 研究展望 | 第124-127页 |
| 参考文献 | 第127-151页 |
| 致谢 | 第151-153页 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第153-154页 |
