| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-39页 |
| ·非易失性存储器的研究背景 | 第12-13页 |
| ·非易失性存储器的定义 | 第12-13页 |
| ·非易失性存储器的市场需求 | 第13页 |
| ·半导体非易失性存储器的介绍 | 第13-26页 |
| ·Flash存储器 | 第13-17页 |
| ·铁电存储器(FeRAM) | 第17-19页 |
| ·磁存储器(MRAM) | 第19-20页 |
| ·相变存储器(OUM或PCRAM) | 第20-22页 |
| ·阻变存储器(ReRAM) | 第22-26页 |
| ·非易失性存储器的总结和展望 | 第26-27页 |
| ·本论文工作的目的、内容和意义 | 第27-29页 |
| 参考文献 | 第29-39页 |
| 第二章 阻变单元器件制备与电学性质表征 | 第39-54页 |
| ·薄膜的制备 | 第39-44页 |
| ·薄膜制备工艺简介 | 第39-41页 |
| ·脉冲激光沉积系统简介 | 第41-42页 |
| ·直流磁控溅射系统简介 | 第42-44页 |
| ·薄膜的表征 | 第44-45页 |
| ·薄膜的结晶形态 | 第44页 |
| ·薄膜的厚度和表面形貌 | 第44-45页 |
| ·薄膜的成分分析 | 第45页 |
| ·单元器件的制备和电学性能测试 | 第45-48页 |
| ·单元器件的制备 | 第45-46页 |
| ·器件的电学性能测试 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-54页 |
| 第三章 四氧化三钴薄膜单极型阻变存储特性的研究 | 第54-71页 |
| ·Co_3O_4薄膜的阻变特性 | 第54-58页 |
| ·Co_3O_4薄膜的微观结构 | 第54-57页 |
| ·Pt/Co_3O_4/Pt单元器件的电学性质 | 第57-58页 |
| ·阻变存储器的阻变机制模型简介 | 第58-64页 |
| ·导电通道(Filament)模型 | 第58-60页 |
| ·空间电荷限制电流效应模型 | 第60-61页 |
| ·缺陷能级的电荷俘获和释放模型 | 第61-62页 |
| ·普尔-法兰克效应模型 | 第62-63页 |
| ·电极限制效应模型 | 第63-64页 |
| ·Co_3O_4薄膜阻变机理的分析 | 第64-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 第四章 非晶氧化镥薄膜单极型阻变存储特性的研究 | 第71-88页 |
| ·Lu_2O_3薄膜的微观结构 | 第71-72页 |
| ·Pt/Lu_2O_3/Pt单元器件的电学性质 | 第72-76页 |
| ·电流-电压特性 | 第72-73页 |
| ·开关寿命 | 第73-74页 |
| ·开关速度 | 第74-75页 |
| ·保持特性 | 第75-76页 |
| ·Lu_2O_3薄膜氧空位能级第一性原理的计算 | 第76-77页 |
| ·阻变机制讨论 | 第77-84页 |
| ·形成过程(Forming Process)中的离子迁移 | 第77-81页 |
| ·Pt/Lu_2O_3/Pt器件高、低电阻态导电机制的研究 | 第81-82页 |
| ·Pt/Lu_2O_3/Pt器件低阻态的电阻随温度变化的特性 | 第82-83页 |
| ·Pt/Lu_2O_3/Pt器件阻变机制的讨论 | 第83-84页 |
| ·本章小结 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-88页 |
| 第五章 氧化镓薄膜双极型阻变存储特性的研究 | 第88-104页 |
| ·氧化镓材料的研究背景 | 第88页 |
| ·GaO_x薄膜的微观结构 | 第88-92页 |
| ·GaO_x薄膜的制备条件 | 第88-89页 |
| ·GaO_x薄膜的微观结构 | 第89页 |
| ·GaO_x薄膜的光学带隙 | 第89-92页 |
| ·GaO_x薄膜的电学特性 | 第92-98页 |
| ·Pt/GaO_x/ITO单元器件的电学性质 | 第92-93页 |
| ·PgGaO_x界面势垒的确定 | 第93-95页 |
| ·Ti/GaO_x/ITO单元器件的电学性质 | 第95-98页 |
| ·阻变机理分析 | 第98-100页 |
| ·本章小结 | 第100-101页 |
| 参考文献 | 第101-104页 |
| 第六章 结论与展望 | 第104-108页 |
| ·结论 | 第104-105页 |
| ·今后工作展望 | 第105-107页 |
| 参考文献 | 第107-108页 |
| 攻读博士期间发表的论文 | 第108-109页 |
| 申请的专利 | 第109-110页 |
| 致谢 | 第110-111页 |
