| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-58页 |
| ·引言 | 第12-13页 |
| ·基于半导体技术的非挥发性存储器 | 第13-16页 |
| ·磁存储器 | 第16-17页 |
| ·磁致电阻存储器 | 第17-19页 |
| ·铁电存储器 | 第19-21页 |
| ·阻变存储器 | 第21-46页 |
| ·相变存储器 | 第22-26页 |
| ·可程序金属化存储器 | 第26-30页 |
| ·基于过渡金属氧化物的阻变存储器 | 第30-33页 |
| ·基于过渡金属氧化物阻变存储器的开关机制 | 第33-46页 |
| ·本论文工作的意义、目的和内容 | 第46-49页 |
| 参考文献 | 第49-58页 |
| 第二章 过渡金属氧化物薄膜的制备和电学性能表征 | 第58-73页 |
| ·超声喷雾热分解法(USP) | 第58-61页 |
| ·超声喷雾热分解法的原理 | 第58-59页 |
| ·USP的四种沉积模式 | 第59-61页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD)系统 | 第61-67页 |
| ·PLD的基本原理 | 第61-62页 |
| ·PLD的系统装置 | 第62-64页 |
| ·PLD的技术特点和优势 | 第64页 |
| ·陶瓷靶材的制备 | 第64-67页 |
| ·阻变存储器的电学性能测试系统 | 第67-72页 |
| ·Keithley2400直流源表简介 | 第67-68页 |
| ·Keithley2400性能参数 | 第68-69页 |
| ·阻变存储器的高频特性测量系统 | 第69-72页 |
| 参考文献 | 第72-73页 |
| 第三章 基于SrTiO_(3-δ)薄膜双极型阻变开关研究 | 第73-100页 |
| ·Electroforming电压极化方向对基于SrTiO_(3-δ)薄膜双极型阻变开关的影响 | 第73-85页 |
| ·引言 | 第73页 |
| ·实验过程 | 第73-74页 |
| ·实验结果与阻变开关机制分析 | 第74-83页 |
| ·本节小结 | 第83-85页 |
| ·基于Ag/SrTiO_3/Pt三明治结构的双极型阻变存储器的开关机制 | 第85-98页 |
| ·引言 | 第85-86页 |
| ·实验过程 | 第86页 |
| ·基于Ag电极的固体电解质(AgI)_(0.2)(Ag_2MoO_4)_(0.8)薄膜的阻变存储器开关机制特点分析 | 第86-89页 |
| ·基于Ag电极的STO薄膜双极型阻变开关机制 | 第89-96页 |
| ·本节小结 | 第96-98页 |
| 参考文献 | 第98-100页 |
| 第四章 基于SrTiO_(3-δ)薄膜单极型阻变开关研究 | 第100-111页 |
| ·引言 | 第100-101页 |
| ·实验过程 | 第101页 |
| ·脉冲电压诱发非晶SrTiO_(3-δ)薄膜单极开关结果与机制分析 | 第101-106页 |
| ·单极型阻变开关RESET功率P_R研究 | 第106-108页 |
| ·本章小结 | 第108-110页 |
| 参考文献 | 第110-111页 |
| 第五章 基于α-Fe_2O_3薄膜的Electroforming诱发阻变开关模式改变的研究 | 第111-122页 |
| ·引言 | 第111页 |
| ·实验过程 | 第111-112页 |
| ·α-Fe_2O_3薄膜的XRD分析 | 第112页 |
| ·两种阻变开关模式下的开关结果与分析 | 第112-116页 |
| ·两种阻变开关模式下Retention性能与机理分析 | 第116-118页 |
| ·本章小结 | 第118-120页 |
| 参考文献 | 第120-122页 |
| 第六章 结论和展望 | 第122-125页 |
| ·主要结论 | 第122-123页 |
| ·今后的工作展望 | 第123-125页 |
| Publication list | 第125-127页 |
| 致谢 | 第127-129页 |
