基于忆阻器的三态内容寻址存储器设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第12-21页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第12-14页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第14-19页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第14-17页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第17-19页 |
| 1.3 本文研究内容与组织结构 | 第19-21页 |
| 1.3.1 研究内容 | 第19-20页 |
| 1.3.2 组织结构 | 第20-21页 |
| 第2章 忆阻器及内容寻址存储器概述 | 第21-34页 |
| 2.1 忆阻器的定义 | 第21-23页 |
| 2.2 忆阻器的建模与仿真 | 第23-29页 |
| 2.2.1 线性离子漂移忆阻器模型 | 第23-25页 |
| 2.2.2 非线性离子漂移模型 | 第25-26页 |
| 2.2.3 带阈值忆阻器仿真模型 | 第26-29页 |
| 2.3 忆阻器在TCAM中的应用 | 第29-33页 |
| 2.3.1 内容寻址存储器 | 第29-31页 |
| 2.3.2 基于忆阻器的TCAM | 第31-33页 |
| 2.4 小结 | 第33-34页 |
| 第3章 4M-TCAM结构设计 | 第34-47页 |
| 3.1 电路设计 | 第34-39页 |
| 3.1.1 写操作 | 第36-37页 |
| 3.1.2 搜索/匹配操作 | 第37-39页 |
| 3.2 拓扑结构设计 | 第39-42页 |
| 3.2.1 阵列写操作 | 第40-41页 |
| 3.2.2 阵列搜索操作 | 第41-42页 |
| 3.3 仿真实验与分析 | 第42-46页 |
| 3.4 小结 | 第46-47页 |
| 第4章 低功耗2M-TCAM结构设计 | 第47-61页 |
| 4.1 2M-TCAM单元结构设计 | 第47-49页 |
| 4.2 低功耗TCAM结构设计 | 第49-52页 |
| 4.2.1 低功耗2M-TCAM结构 | 第49-50页 |
| 4.2.2 写操作 | 第50-51页 |
| 4.2.3 搜索操作 | 第51-52页 |
| 4.3 低功耗TCAM仿真实验 | 第52-53页 |
| 4.4 时间分析 | 第53-57页 |
| 4.4.1 2M-TCAM搜索时间分析 | 第54-55页 |
| 4.4.2 低功耗TCAM搜索时间分析 | 第55-56页 |
| 4.4.3 时间开销对比 | 第56-57页 |
| 4.5 功耗分析 | 第57-59页 |
| 4.5.1 2M-TCAM功耗分析 | 第57页 |
| 4.5.2 低功耗TCAM功耗分析 | 第57-58页 |
| 4.5.3 功耗对比 | 第58-59页 |
| 4.6 性能分析对比 | 第59-60页 |
| 4.7 小结 | 第60-61页 |
| 结论 | 第61-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
