| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 1550 nm大功率半导体激光器研究背景 | 第11-19页 |
| 1.1.1 InGaAsP和InGaAsN脉冲激光器 | 第14-15页 |
| 1.1.2 InGaAlAs脉冲激光器 | 第15-19页 |
| 1.1.2.1 隧穿结激光器 | 第15-17页 |
| 1.1.2.2 单结激光器 | 第17-19页 |
| 1.2 本文主要工作 | 第19-20页 |
| 1.3 本论文的结构安排 | 第20-21页 |
| 第二章 应变量子阱激光器理论基础 | 第21-28页 |
| 2.1 量子阱 | 第21-23页 |
| 2.1.1 量子限制效应 | 第22-23页 |
| 2.1.2 态密度分布 | 第23页 |
| 2.2 应变量子阱 | 第23-26页 |
| 2.2.1 临界厚度 | 第24-25页 |
| 2.2.2 应变材料的能带结构 | 第25-26页 |
| 2.3 量子阱的增益特性 | 第26-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 激光器设计与优化 | 第28-52页 |
| 3.1 参数设计 | 第28-33页 |
| 3.1.1 发射波长 | 第28-31页 |
| 3.1.2 光谱线宽 | 第31-32页 |
| 3.1.3 输出功率 | 第32-33页 |
| 3.2 器件结构设计 | 第33-45页 |
| 3.2.1 外延层参数设计 | 第33-34页 |
| 3.2.2 脊波导参数设计 | 第34-36页 |
| 3.2.3 非对称分别限制结构 | 第36-39页 |
| 3.2.4 端面处理 | 第39-42页 |
| 3.2.5 端面镀膜优化 | 第42-45页 |
| 3.3 可靠性设计 | 第45-50页 |
| 3.3.1 失效机理分析 | 第46页 |
| 3.3.2 应对措施 | 第46-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 工艺实现与优化 | 第52-67页 |
| 4.1 MOCVD外延生长 | 第52-59页 |
| 4.1.1 MOCVD简介 | 第52-54页 |
| 4.1.2 外延生长质量测试方法 | 第54-57页 |
| 4.1.2.1 XRD测试 | 第55-56页 |
| 4.1.2.2 PL测试 | 第56-57页 |
| 4.1.3 MOCVD外延工艺优化 | 第57-59页 |
| 4.2 脊波导制备 | 第59-60页 |
| 4.3 激光器端面处理 | 第60页 |
| 4.4 欧姆电极制备 | 第60-61页 |
| 4.5 烧结压焊 | 第61-62页 |
| 4.6 光束整形及封装 | 第62-66页 |
| 4.7 本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 测试结果 | 第67-71页 |
| 5.1 激光器光-电参数测试 | 第67-69页 |
| 5.1.1 光谱及输出功率测试 | 第67-68页 |
| 5.1.2 光束发散角测试 | 第68-69页 |
| 5.2 可靠性测试 | 第69-70页 |
| 5.3 本章小结 | 第70-71页 |
| 第六章 结论 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第78页 |