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单晶六硼化镧场发射阵列阴极技术研究

摘要第5-6页
abstract第6-7页
第一章 绪论第11-16页
    1.1 引言第11页
    1.2 本文研究的意义第11-12页
    1.3 场致电子发射的发展历程第12-13页
    1.4 场发射阵列阴极研究现状第13-14页
        1.4.1 传统场发射阵列阴极第13页
        1.4.2 六硼化镧场发射阴极研究现状第13-14页
    1.5 本文的主要工作和内容第14-16页
第二章 六硼化镧材料特性及其场发射原理第16-22页
    2.1 六硼化镧材料特性第16-17页
        2.1.1 六硼化镧材料的基本性质第16-17页
        2.1.2 六硼化镧材料的基本性质第17页
    2.2 金属场致发射理论第17-20页
        2.2.1 金属场致发射理论的发现与提出第17-18页
        2.2.2 金属场致发射理论第18-20页
    2.3 半导体场致发射理论第20-21页
    2.4 本章小结第21-22页
第三章 六硼化镧场发射阵列阴极理论模拟第22-31页
    3.1 OPERA软件简介第22-23页
    3.2 有限元法简介第23-24页
    3.3 场发射电流的模拟计算第24-25页
    3.4 单晶LaB_6场发射阴极的模拟第25-30页
        3.4.1 柱型单晶LaB_6场发射阴极初始模型的建立第25-26页
        3.4.2 阴极参数的设定第26页
        3.4.3 有限元网格的划分第26-27页
        3.4.4 模拟结果分析第27-30页
    3.5 本章小结第30-31页
第四章 尖锥型六硼化镧场发射阵列阴极的制备第31-50页
    4.1 方案设计第31页
    4.2 单晶LaB_6基片的预处理第31-33页
        4.2.1 基片表面磨抛第32页
        4.2.2 基片表面清洗第32-33页
    4.3 掩蔽层材料与沉积工艺的选择第33-34页
        4.3.1 掩蔽层材料的选择第33页
        4.3.2 沉积工艺的选择第33-34页
    4.4 非晶硅(a-Si)掩蔽层的制备第34-39页
        4.4.1 掩蔽层的制备方法第34-35页
        4.4.2 溅射功率对沉积结果的影响第35-36页
        4.4.3 Ar气流量对沉积结果的影响第36-37页
        4.4.4 溅射时间对沉积结果的影响第37-39页
    4.5 非晶硅掩蔽层的图案化第39-44页
        4.5.1 图案化工艺原理第39-40页
        4.5.2 图案化工艺流程第40-42页
        4.5.3 图案化工艺参数对实验结果的影响第42-44页
    4.6 单晶LaB_6阴极电化学腐蚀第44-49页
        4.6.1 电化学腐蚀原理第45-46页
        4.6.2 电化学腐蚀工艺流程第46页
        4.6.3 腐蚀参数对腐蚀结果的影响第46-48页
        4.6.4 结论第48-49页
    4.7 本章小结第49-50页
第五章 柱型六硼化镧场发射阵列阴极的制备第50-54页
    5.1 电火花线切割工艺简介第50页
    5.2 柱型场发射阵列阴极制备流程第50-51页
    5.3 工艺参数的确定及调整第51-52页
    5.4 电解时间对腐蚀结果的影响第52-53页
    5.5 本章小结第53-54页
第六章 单晶六硼化镧场发射性能测试第54-61页
    6.1 测试系统第54-55页
    6.2 评价参数第55-56页
    6.3 测试方法第56-58页
        6.3.1 测试装置的预处理第56-57页
        6.3.2 场发射测试步骤第57-58页
    6.4 测试结果及分析第58-60页
        6.4.1 阴极I-V特性第58-59页
        6.4.2 阴极F-N曲线第59页
        6.4.3 阴极稳定性曲线第59-60页
    6.5 本章小结第60-61页
第七章 总结与展望第61-63页
    7.1 论文总结第61-62页
    7.2 存在的问题和后研究的展望第62-63页
致谢第63-64页
参考文献第64-68页
攻读硕士学位期间取得的成果第68页

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