摘要 | 第5-6页 |
abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第11-16页 |
1.1 引言 | 第11页 |
1.2 本文研究的意义 | 第11-12页 |
1.3 场致电子发射的发展历程 | 第12-13页 |
1.4 场发射阵列阴极研究现状 | 第13-14页 |
1.4.1 传统场发射阵列阴极 | 第13页 |
1.4.2 六硼化镧场发射阴极研究现状 | 第13-14页 |
1.5 本文的主要工作和内容 | 第14-16页 |
第二章 六硼化镧材料特性及其场发射原理 | 第16-22页 |
2.1 六硼化镧材料特性 | 第16-17页 |
2.1.1 六硼化镧材料的基本性质 | 第16-17页 |
2.1.2 六硼化镧材料的基本性质 | 第17页 |
2.2 金属场致发射理论 | 第17-20页 |
2.2.1 金属场致发射理论的发现与提出 | 第17-18页 |
2.2.2 金属场致发射理论 | 第18-20页 |
2.3 半导体场致发射理论 | 第20-21页 |
2.4 本章小结 | 第21-22页 |
第三章 六硼化镧场发射阵列阴极理论模拟 | 第22-31页 |
3.1 OPERA软件简介 | 第22-23页 |
3.2 有限元法简介 | 第23-24页 |
3.3 场发射电流的模拟计算 | 第24-25页 |
3.4 单晶LaB_6场发射阴极的模拟 | 第25-30页 |
3.4.1 柱型单晶LaB_6场发射阴极初始模型的建立 | 第25-26页 |
3.4.2 阴极参数的设定 | 第26页 |
3.4.3 有限元网格的划分 | 第26-27页 |
3.4.4 模拟结果分析 | 第27-30页 |
3.5 本章小结 | 第30-31页 |
第四章 尖锥型六硼化镧场发射阵列阴极的制备 | 第31-50页 |
4.1 方案设计 | 第31页 |
4.2 单晶LaB_6基片的预处理 | 第31-33页 |
4.2.1 基片表面磨抛 | 第32页 |
4.2.2 基片表面清洗 | 第32-33页 |
4.3 掩蔽层材料与沉积工艺的选择 | 第33-34页 |
4.3.1 掩蔽层材料的选择 | 第33页 |
4.3.2 沉积工艺的选择 | 第33-34页 |
4.4 非晶硅(a-Si)掩蔽层的制备 | 第34-39页 |
4.4.1 掩蔽层的制备方法 | 第34-35页 |
4.4.2 溅射功率对沉积结果的影响 | 第35-36页 |
4.4.3 Ar气流量对沉积结果的影响 | 第36-37页 |
4.4.4 溅射时间对沉积结果的影响 | 第37-39页 |
4.5 非晶硅掩蔽层的图案化 | 第39-44页 |
4.5.1 图案化工艺原理 | 第39-40页 |
4.5.2 图案化工艺流程 | 第40-42页 |
4.5.3 图案化工艺参数对实验结果的影响 | 第42-44页 |
4.6 单晶LaB_6阴极电化学腐蚀 | 第44-49页 |
4.6.1 电化学腐蚀原理 | 第45-46页 |
4.6.2 电化学腐蚀工艺流程 | 第46页 |
4.6.3 腐蚀参数对腐蚀结果的影响 | 第46-48页 |
4.6.4 结论 | 第48-49页 |
4.7 本章小结 | 第49-50页 |
第五章 柱型六硼化镧场发射阵列阴极的制备 | 第50-54页 |
5.1 电火花线切割工艺简介 | 第50页 |
5.2 柱型场发射阵列阴极制备流程 | 第50-51页 |
5.3 工艺参数的确定及调整 | 第51-52页 |
5.4 电解时间对腐蚀结果的影响 | 第52-53页 |
5.5 本章小结 | 第53-54页 |
第六章 单晶六硼化镧场发射性能测试 | 第54-61页 |
6.1 测试系统 | 第54-55页 |
6.2 评价参数 | 第55-56页 |
6.3 测试方法 | 第56-58页 |
6.3.1 测试装置的预处理 | 第56-57页 |
6.3.2 场发射测试步骤 | 第57-58页 |
6.4 测试结果及分析 | 第58-60页 |
6.4.1 阴极I-V特性 | 第58-59页 |
6.4.2 阴极F-N曲线 | 第59页 |
6.4.3 阴极稳定性曲线 | 第59-60页 |
6.5 本章小结 | 第60-61页 |
第七章 总结与展望 | 第61-63页 |
7.1 论文总结 | 第61-62页 |
7.2 存在的问题和后研究的展望 | 第62-63页 |
致谢 | 第63-64页 |
参考文献 | 第64-68页 |
攻读硕士学位期间取得的成果 | 第68页 |