摘要 | 第6-8页 |
ABSTRACT | 第8-10页 |
第1章 密度泛函理论简介 | 第14-26页 |
1.1 基于波函数的量子化学方法 | 第14-17页 |
1.1.1 波恩-奥本海默(BO)近似 | 第14-15页 |
1.1.2 Hartree-Fock近似 | 第15-17页 |
1.2 密度泛函理论简介 | 第17-22页 |
1.2.1 密度泛函基本理论 | 第17-21页 |
1.2.2 密度泛函理论扩展 | 第21-22页 |
1.3 本文所采取的基于密度泛函理论的计算软件包 | 第22-24页 |
参考文献 | 第24-26页 |
第2章 氧化锌单层和多层电子结构和磁性调控的理论研究 | 第26-50页 |
2.1 引言 | 第26页 |
2.2 非金属元素掺杂的ZnO单层 | 第26-37页 |
2.2.1 研究背景 | 第26-27页 |
2.2.2 计算方法 | 第27页 |
2.2.3 结果与讨论 | 第27-36页 |
2.2.4 小结 | 第36-37页 |
2.3 ZnO多层的表面化学修饰 | 第37-45页 |
2.3.1 研究背景 | 第37页 |
2.3.2 计算方法 | 第37-38页 |
2.3.3 结果与讨论 | 第38-45页 |
2.3.4 小结 | 第45页 |
2.4 本章小结 | 第45-46页 |
参考文献 | 第46-50页 |
第3章 过渡金属二硫族化合物及其范德瓦尔斯异质结电子性质的理论研究 | 第50-87页 |
3.1 引言 | 第50页 |
3.2 应力对前过渡金属二硫族化合物单层带隙调控的理论研究 | 第50-62页 |
3.2.1 研究背景 | 第50-51页 |
3.2.2 计算方法 | 第51-52页 |
3.2.3 结果与讨论 | 第52-61页 |
3.2.4 小结 | 第61-62页 |
3.3 基于单层MoS_2的过渡金属二硫族化合物异质双层的理论研究 | 第62-73页 |
3.3.1 研究背景 | 第62-63页 |
3.3.2 计算方法 | 第63-64页 |
3.3.3 结果与讨论 | 第64-73页 |
3.3.4 小结 | 第73页 |
3.4 插入法形成范德瓦尔斯异质三层和超晶格对MoS_2电子结构的调控 | 第73-82页 |
3.4.1 研究背景 | 第73-74页 |
3.4.2 计算方法 | 第74-75页 |
3.4.3 结果与讨论 | 第75-81页 |
3.4.4 小结 | 第81-82页 |
3.5 本章小结 | 第82-83页 |
参考文献 | 第83-87页 |
第4章 磷烯条带、纳米管和范德瓦尔斯多层电子性质的理论研究 | 第87-108页 |
4.1 研究背景 | 第87-88页 |
4.2 研究方法 | 第88-89页 |
4.3 结果与讨论 | 第89-104页 |
4.3.1 一维磷烯纳米条带 | 第89-96页 |
4.3.2 一维黑磷单壁纳米管 | 第96-100页 |
4.3.3 多层磷烯 | 第100-102页 |
4.3.4 磷烯和MoS2(或WS2)的异质双层 | 第102-104页 |
4.4 小结 | 第104-105页 |
参考文献 | 第105-108页 |
致谢 | 第108-110页 |
在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第110-111页 |