| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 论文课题背景与选题依据 | 第9页 |
| 1.2 紫外探测技术的研究背景及问题 | 第9-11页 |
| 1.3 紫外光电探测器的国内外研究进展 | 第11-13页 |
| 1.4 论文研究的意义与目的 | 第13-14页 |
| 1.5 论文主要研究内容与章节安排 | 第14页 |
| 1.6 论文的创新点 | 第14-16页 |
| 第2章 基本理论与背景知识 | 第16-32页 |
| 2.1 大规模集成 CMOS 工艺 | 第16-18页 |
| 2.2 半导体光电探测器基础 | 第18-28页 |
| 2.2.1 PN 结 | 第18-22页 |
| 2.2.2 光电二极管 | 第22-24页 |
| 2.2.3 MOS 场效应晶体管 | 第24-27页 |
| 2.2.4 光栅 Photo-Gate | 第27-28页 |
| 2.3 紫外探测器的参数指标 | 第28-30页 |
| 2.3.1 量子效率及响应度 | 第28页 |
| 2.3.2 暗电流 | 第28-29页 |
| 2.3.3 噪声特性 | 第29-30页 |
| 2.3.4 紫外探测率 | 第30页 |
| 2.3.5 紫外选择性 | 第30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-32页 |
| 第3章 紫外增强型光电探测器的结构 | 第32-37页 |
| 3.1 器件结构 | 第32-33页 |
| 3.2 工作原理 | 第33-36页 |
| 3.3 本章小结 | 第36-37页 |
| 第4章 MOSFET 多晶硅栅宽度及叉指形状的讨论 | 第37-50页 |
| 4.1 Silvaco Atlas 器件模拟工具 | 第37-40页 |
| 4.2 MOSFET 多晶硅栅宽度的讨论 | 第40-44页 |
| 4.3 MOSFET 叉指状多晶硅栅的讨论 | 第44-49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 第5章 紫外增强型光电探测器的模拟与实现 | 第50-58页 |
| 5.1 器件的光产生率及载流子浓度分析 | 第50-51页 |
| 5.2 器件的衬体电势模拟与分析 | 第51-52页 |
| 5.3 器件的阈值电压模拟与分析 | 第52-53页 |
| 5.4 器件的输出特性模拟与分析 | 第53-54页 |
| 5.5 器件的光谱响应模拟与分析 | 第54-55页 |
| 5.6 器件的直流特性模拟与分析 | 第55-56页 |
| 5.7 基于 0.5μm CMOS 工艺的版图设计 | 第56页 |
| 5.8 本章小结 | 第56-58页 |
| 第6章 总结与展望 | 第58-59页 |
| 6.1 工作总结 | 第58页 |
| 6.2 不足与展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 附录 A 仿真程序（部分） | 第64-67页 |
| 附录 B 个人简历 | 第67-68页 |
| 附录 C 硕士期间学术成果列表 | 第68页 |